一、金刚石材料制备技术大尺寸 CVD 金刚石生长技术中南钻石在微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术上实现重大突破，单炉设备可同时生长 14 颗 10 克拉以上的培育钻石毛坯，生长速率达 11m/h 以上，产品颜色等级 D-E 色、净度 VS 级以上，品质达到国际一流水平。这一技术不仅支撑消费级培育钻石量产，更关键的是为电子级金刚石衬底提供了工艺基础。例如，其开发的 6 英寸金刚石衬底片已通过中微半导体验证，用于 GaN 功率器件生产，2025 年一季度订单突破 3 亿元。六方金刚石合成技术中兵红箭与吉林大学团队合作，采用 “超高压梯度控温” 技术，在 30 万倍大气压、1600℃高温下成功合成高纯度六方金刚石（硬度超天然金刚石 40%），量产成本较传统 CVD 法降低 70%，2 英寸衬底成本从 5 万元降至 1.5 万元。该材料击穿场强是硅的 33 倍，带隙 5.5eV，预计 2026 年实现量产，将彻底改写功率半导体格局。高纯度金刚石热沉材料公司开发的 CVD 金刚石热沉片热导率达 1800-2200W/mK，已通过华为验证并批量供应其高端服务器芯片散热环节。与英伟达合作测试显示，金刚石散热方案可使 AI 芯片性能提升 3 倍、温度降低 60%，数据中心冷却成本节省数百万美元。