目前,三安集成砷化镓射频已与103家客户有业务接触,出货客户累计58家,14家客户已量产,达89种产品,产品性能及稳定性获客户一致好评;氮化镓射频已实现客户送样,初步性能已获客户认可;科技部重点研发项目取得重大突破,提前完成阶段性结题指标,核高基重大专项—5G移动通信功放芯片项目按计划正常进行中;电力电子产品已完成国内外客户产品验证并批量供货,己进入量产阶段;光通讯芯片已累计送样26件,部分产品实现量产并已实现销售。
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发表于 2025-10-21 16:42:52
发布于 福建
$三安光电(SH600703)$ 三安集成针对客户需求，推出0.4μm Ledge GaAs HBT工艺H10HP56，实现更高的工作频率，使器件在C波段范围内的高功率应用需求，并着重在智能手机、Wi-Fi 7、卫星通信等领域提供优越的放大效率和顽健性。
·H10HP56采用三安集成自研InGaP材料外延，在实现较高电流增益的情况下，减小基极电阻，从而实现较高的工作频率；
·顺应射频前端模组高集成度趋势，该工艺全面适配铜柱倒装工艺，实现更小的芯片封装面积和散热效率，提升系统的可靠性；
该工艺自2024年底推出，已完成在战略客户项目中的先导量产，预计于第四季度实现大规模量产，此举将显著加速高集成度旗舰级前端模组、卫星通讯、车载无线TGU及无人机等新兴终端应用设备的商业化进程。
三安集成在射频前端芯片代工领域持续投入工艺研发，是极少数具备自主研发外延能力的代工厂，自研外延已覆盖全线工艺，部署砷化镓6寸晶圆产能每月18,000片，根据Morgan Stanley分析数据，2025年上半年，三安阶段出货已来到全球第二位。
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