$三安光电(SH600703)$   三安集成针对客户需求，推出0.4μm Ledge GaAs HBT工艺H10HP56，实现更高的工作频率，使器件在C波段范围内的高功率应用需求，并着重在智能手机、Wi-Fi 7、卫星通信等领域提供优越的放大效率和顽健性。

      ·H10HP56采用三安集成自研InGaP材料外延，在实现较高电流增益的情况下，减小基极电阻，从而实现较高的工作频率；

     ·顺应射频前端模组高集成度趋势，该工艺全面适配铜柱倒装工艺，实现更小的芯片封装面积和散热效率，提升系统的可靠性；

      该工艺自2024年底推出，已完成在战略客户项目中的先导量产，预计于第四季度实现大规模量产，此举将显著加速高集成度旗舰级前端模组、卫星通讯、车载无线TGU及无人机等新兴终端应用设备的商业化进程。      

       三安集成在射频前端芯片代工领域持续投入工艺研发，是极少数具备自主研发外延能力的代工厂，自研外延已覆盖全线工艺，部署砷化镓6寸晶圆产能每月18,000片，根据Morgan Stanley分析数据，2025年上半年，三安阶段出货已来到全球第二位。

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