今天市场最热闹的，不是AI大模型又发了什么新版本，也不是新能源车卖了多少万辆，而是“光芯片”这三个字，彻底炸了。

  我盯着三安光电的K线看了一整天——全天成交额超62亿，是两市最吸金的个股之一。虽然股价微跌0.07%，收在14.42元，但背后的资金博弈激烈得像一场战役。为什么？因为就在昨天，九峰山实验室官宣：中国成功实现6英寸磷化铟（InP）基器件外延生长工艺，全链路国产化！而三安光电，是目前A股中唯一确认具备6英寸InP光芯片量产能力的企业。

  这可不是普通的工艺升级。过去全球InP光芯片主流是3英寸晶圆，成本高、产能低，长期被美日垄断。现在我们直接跨到6英寸，意味着单片产出翻倍，材料利用率大幅提升，再加上国产MOCVD设备和衬底协同突破，业内预测光芯片制造成本将下降30%~40%。三安光电自己也说了：“已具备量产6吋InP光芯片的工艺能力。”这不是画饼，是实打实的产能落地。

  更关键的是，这个技术突破背后，是一整条自主可控的光电子产业链正在成型。云南锗业旗下的云南鑫耀，是国内唯一能批量供应6英寸InP衬底的厂商，直接卡位产业链最上游。今天虽然股价回调了4.08%，但成交额高达49.72亿，说明资金分歧中仍有大资金在承接。要知道，这可是华为哈勃投过的公司，战略意义不言而喻。

  再看源杰科技，专注磷化铟激光器芯片，100G EML芯片国内独家量产，英伟达订单已经排到2026年。成本一旦下降，它的出货量和毛利率双升空间就打开了。中际旭创、天孚通信这些光模块龙头也会跟着受益——芯片便宜了，模块毛利率能提升3到5个百分点，利润弹性巨大。

  我还注意到一个细节：中微公司作为国产MOCVD设备龙头，其设备首次被用于6英寸InP外延链。这意味着，不仅是材料和芯片，连核心设备都在实现国产替代。整个链条从“衬底—外延—芯片—模块”全部打通，中国在高端化合物半导体领域，终于有了自己的话语权。

  说实话，这不是短期炒作。Yole预测，2027年全球磷化铟光电子市场规模将达56亿美元，年复合增速14%，应用场景覆盖800G/1.6T光模块、L3+自动驾驶激光雷达，甚至量子计算。而我们现在看到的，是中国用五年时间构建起一条完整生态链的成果。

  所以我在想，这一轮光芯片的崛起，或许就是中国半导体真正“换道超车”的开始。三安光电、云南锗业、源杰科技……这些名字，可能正在书写一段新的产业历史。