今天市场最热闹的,不是AI大模型又发了什么新版本,也不是新能源车卖了多少万辆,而是“光芯片”这三个字,彻底炸了。
我盯着三安光电的K线看了一整天——全天成交额超62亿,是两市最吸金的个股之一。虽然股价微跌0.07%,收在14.42元,但背后的资金博弈激烈得像一场战役。为什么?因为就在昨天,九峰山实验室官宣:中国成功实现6英寸磷化铟(InP)基器件外延生长工艺,全链路国产化!而三安光电,是目前A股中唯一确认具备6英寸InP光芯片量产能力的企业。
这可不是普通的工艺升级。过去全球InP光芯片主流是3英寸晶圆,成本高、产能低,长期被美日垄断。现在我们直接跨到6英寸,意味着单片产出翻倍,材料利用率大幅提升,再加上国产MOCVD设备和衬底协同突破,业内预测光芯片制造成本将下降30%~40%。三安光电自己也说了:“已具备量产6吋InP光芯片的工艺能力。”这不是画饼,是实打实的产能落地。
更关键的是,这个技术突破背后,是一整条自主可控的光电子产业链正在成型。云南锗业旗下的云南鑫耀,是国内唯一能批量供应6英寸InP衬底的厂商,直接卡位产业链最上游。今天虽然股价回调了4.08%,但成交额高达49.72亿,说明资金分歧中仍有大资金在承接。要知道,这可是华为哈勃投过的公司,战略意义不言而喻。
再看源杰科技,专注磷化铟激光器芯片,100G EML芯片国内独家量产,英伟达订单已经排到2026年。成本一旦下降,它的出货量和毛利率双升空间就打开了。中际旭创、天孚通信这些光模块龙头也会跟着受益——芯片便宜了,模块毛利率能提升3到5个百分点,利润弹性巨大。
我还注意到一个细节:中微公司作为国产MOCVD设备龙头,其设备首次被用于6英寸InP外延链。这意味着,不仅是材料和芯片,连核心设备都在实现国产替代。整个链条从“衬底—外延—芯片—模块”全部打通,中国在高端化合物半导体领域,终于有了自己的话语权。
说实话,这不是短期炒作。Yole预测,2027年全球磷化铟光电子市场规模将达56亿美元,年复合增速14%,应用场景覆盖800G/1.6T光模块、L3+自动驾驶激光雷达,甚至量子计算。而我们现在看到的,是中国用五年时间构建起一条完整生态链的成果。
所以我在想,这一轮光芯片的崛起,或许就是中国半导体真正“换道超车”的开始。三安光电、云南锗业、源杰科技……这些名字,可能正在书写一段新的产业历史。