一、上游：SiC长晶设备、衬底、外延、配套耗材
上游为SiC产业的基础产能环节，也是全行业扩产的前置环节，所有芯片与模块的产能释放，均依赖长晶设备与衬底产能的建设落地。
1.1 SiC长晶及整线制造设备
长晶设备是SiC衬底量产的核心专用设备，也是SiC产业扩产的先行资本开支方向。当前国内已形成“整线龙头+专精厂商”的差异化竞争格局。
核心标的一：晶盛机电
公司是国内唯一具备8英寸SiC衬底全流程整线设备供应能力的厂商，产品覆盖单晶生长炉、切割机、研磨机、抛光机、外延设备全链条，其中8英寸SiC长晶炉国内市占率超50%，外延设备市占率行业领先。客户覆盖天岳先进、三安光电、露笑科技等国内几乎所有主流SiC衬底厂商，是国内衬底产能扩张的核心设备供应商。
同时公司自身布局SiC衬底业务，形成“设备+材料”垂直一体化模式，自产设备复用可降低衬底单位生产成本约25%；前瞻布局12英寸SiC散热载板设备，卡位AI先进封装散热赛道。
核心标的二：晶升股份
公司聚焦SiC单晶生长设备细分赛道，主力产品为6英寸、8英寸PVT电阻加热SiC单晶炉，适配当前车规级SiC衬底量产需求，12英寸设备已完成送样验证，对接未来大尺寸衬底与AI服务器SiC中介层的迭代需求。
从行业格局来看，SiC衬底产线的资本开支中，超六成资金用于采购长晶炉设备。公司在国内单晶炉市场具备较高市占率，长期配套天岳先进、露笑科技、三安光电等主流衬底厂商，交付周期短于同行，可快速响应客户扩产需求。设备环节订单周期相对靠前，通常领先衬底、芯片器件2至3个季度，是行业周期中率先兑现景气的环节。
全球标杆参照：Wolfspeed
Wolfspeed为全球SiC长晶技术发源地，长晶炉及配套工艺全自研且不对外销售，构筑了核心技术壁垒。受债务重组后资本开支收缩影响，其自身产能扩张近乎停滞，全球SiC衬底新增产能主要向中国大陆转移，直接带动国内长晶及整线设备需求释放，晶盛机电、晶升股份等本土设备厂商成为本轮扩产的核心受益者。
1.2 SiC导电型衬底
导电型SiC衬底为800V高压MOSFET的核心基材，是高压功率器件实现低损耗、高耐压性能的基础，当前车规级8英寸导电衬底整体处于供需偏紧状态。
• 天岳先进：全球8英寸导电型SiC衬底出货量位居行业前列，产品适配新能源汽车800V平台功率器件，与海内外IDM企业签订长期产能协议，上海临港产线持续爬坡上量，12英寸衬底产品已进入中试阶段，布局未来大尺寸迭代。
• 露笑科技：6英寸导模法SiC衬底实现稳定量产，8英寸衬底产线逐步落地，产品重点配套国内车企800V车型供应链，贴合本土化产能替代趋势。
• 三安光电：搭建国内自主可控的SiC IDM产业平台，自建8英寸SiC衬底产线，产能优先保障内部芯片制造需求，富余产能对外少量销售，实现衬底自供与外销结合的模式。
1.3 SiC外延片
SiC外延是在衬底基础上生长功能薄膜的关键工艺，直接决定高压器件的耐压、损耗、可靠性指标，适配800V高压工况的器件，需要高品质厚膜外延工艺支撑。
目前A股暂无独立的外延片上市龙头，行业产能主要依托头部IDM企业配套建设。其中三安光电自建规模化SiC厚膜外延产线，可满足车规高压器件、电网级功率器件的工艺要求；晶盛机电8英寸SiC外延设备已实现批量交付，支撑国内外延产能扩张。第三方外延厂商多为非上市企业。
Wolfspeed的厚膜外延工艺为全球行业标杆，可支撑10kV级超高压器件制造，国内头部企业的外延技术路线均对标其规格迭代。
1.4 SiC长晶配套耗材
SiC单晶生长需要超高温生产环境，高纯石墨热场、保温结构、高纯碳粉等为长晶过程必需耗材，随长晶炉装机量增长形成持续刚需。
核心标的：楚江新材
公司布局半导体、SiC长晶领域高端高纯石墨耗材与热场组件，产品适配SiC单晶炉2000℃以上高温工作环境。
从产业链配套来看，单台SiC长晶炉的运营过程中，石墨耗材为高频消耗品，具备持续复购属性。在8英寸、12英寸大尺寸衬底全面扩产的行业背景下，国内长晶炉装机数量持续提升，带动高纯石墨热场、配套碳粉耗材的市场需求稳步增长。
公司产品同时覆盖SiC半导体、光伏、高端制造等多个赛道，充分受益于本轮800V高压升级带动的SiC全产业链扩产浪潮，为上游设备环节之外的核心配套耗材标的。
二、中游：SiC芯片制造、封装散热、功率模块
中游是SiC产业的产能兑现与价值落地环节，承接上游衬底产能，完成芯片制造、封装散热、模块集成，最终形成可直接应用的高压功率器件。
2.1 SiC芯片制造（IDM+专业代工）
经过多年技术迭代，国内已形成IDM垂直整合与专业晶圆代工并行的供给格局，头部企业已实现车规、网规SiC芯片的规模化量产，适配800V车载、储能、特高压等场景。
• 三安光电：依托完整IDM体系，实现8英寸SiC MOS芯片稳定量产，批量供货新能源车企800V平台、AI服务器高压电源等终端客户。产品覆盖全电压、全电流规格的SiC二极管与MOSFET，切入六大应用领域，是国内SiC器件品类最齐全的厂商。
• 芯联集成：国内领先的特色工艺晶圆代工厂，也是国内少数同时实现6英寸+8英寸车规级SiC MOSFET规模化量产的专业代工厂。公司6英寸SiC产线产能达8000片/月，产能利用率饱满；8英寸SiC MOSFET产线已实现量产，月产能2000片并持续爬坡，2026年末目标扩至1.5万片/月。工艺覆盖650V-3300V全电压平台，适配车载电控、储能、AI数据中心固态变压器等场景，2026上半年AI相关收入同比大幅增长。客户覆盖理想、小鹏、比亚迪等主流车企，以及国内头部AI服务器厂商，是国内SiC代工环节核心标的。
• 斯达半导：实现SiC芯片自研与模块封装一体化布局，是国内车规级SiC功率模块的核心供应商，深度配套高压车载电控系统。
• 时代电气：聚焦高压大功率SiC器件，产品以SiC晶闸管、压接型功率器件为主，广泛应用于储能并网、特高压直流、轨道交通等大功率高压场景。
2.2 封装散热环节
800V高压架构升级后，器件功率密度大幅提升，工作热流密度与冷热冲击频次显著增加，传统封装基板与壳体材料无法适配长期高压高温工况，带动高端AMB散热基板、高压陶瓷管壳、绝缘封装材料全面迭代。
封装散热是SiC器件可靠性的核心保障环节，下游客户认证周期较长，技术与客户壁垒稳固。在800V高压迭代周期中，随器件用量增长与产品结构升级，封装零部件环节实现量价同步提升。全球范围内，Wolfspeed的高压SiC模块均采用同规格高端AMB基板与陶瓷管壳封装，国内厂商已逐步对标海外高端标准，实现国产替代。
2.3 SiC功率模块封测
功率模块为SiC器件的终端成品形态，由芯片、基板、壳体、封装结构集成而来，直接对接下游终端设备。
目前国内模块端核心企业为斯达半导、时代电气，具备自研芯片、自主封装、可靠性测试的完整能力，主导国内车规、网规高压SiC模块市场。通用封测企业SiC相关业务占比相对有限，行业贡献度较低。
海外端，Wolfspeed联合GE Aerospace开发10kV级高压SiC功率模块，适配电网级AI集群与国防场景，代表全球最高技术规格。
三、下游：四大800V高压应用终端
下游场景的技术升级，是本轮SiC全产业链景气上行的核心驱动力，各领域高压化改造，自上而下带动整条产业链产能与需求扩容。
1. 新能源汽车：为SiC器件最大应用场景，整体需求占比超六成。800V高压平台车型的主驱逆变器、车载充电机、高压快充系统，全面标配SiC功率模块，持续拉动上游设备、耗材、衬底全链条需求。海外端Wolfspeed配套保时捷、特斯拉等高端800V车型，国内厂商则主导本土车企供应链替代。
2. 光伏储能PCS：大型储能电站、光伏并网变流器向高压大功率方向升级，大量搭载高压SiC晶闸管，持续消耗高压封装零部件，形成稳定常态化需求。Wolfspeed高压器件广泛应用于海外大型储能电站，国内时代电气、三安光电承接本土储能项目需求。
3. 特高压与轨道交通：电网柔直工程、高铁牵引变流器采用大功率压接式SiC器件，对高耐压、高气密性、大尺寸封装结构形成刚性需求。Wolfspeed 10kV SiC器件为全球特高压柔直工程的标杆方案，国内由时代电气实现自主可控替代。
4. AI智算中心：服务器供电架构向800V高压演进，GPU高密度算力集群带来电源系统高热流密度，带动高导热散热基板与高压SiC器件的增量需求，开辟SiC全新成长赛道。英伟达主导的800V高压直流架构已成为兆瓦级算力集群标配，Wolfspeed为其核心SiC器件供应商；国内三安光电、芯联集成通过电源厂间接切入国产智算中心供应链。
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