此前提及，SK海力士三季度业绩创历史新高，运营利润飙升62%，背后是其HBM高带宽内存的全面“售罄”。公司已锁定2026年全部DRAM和NAND客户需求，HBM4将于2025年底出货。

　　摩根士丹利分析师Shawn Kim和Duan Liu在29日的报告中指出，SK海力士的“售罄”信号，显示供应将更加紧张，价格上涨环境将持续贯穿2026年。分析师将2026年DRAM价格预期从此前的同比增长26%上调至30%，使SK海力士的前景更加接近2017-2018年的超级周期基准。

供需失衡加剧，DRAM库存告急

　　人工智能应用的全面爆发是此轮存储市场需求激增的核心驱动力。根据摩根士丹利的报告，AI推理计算的需求正在极大提振通用型存储芯片市场，快速消耗了行业库存，并为价格持续上涨提供了动力。

　　SK海力士管理层的表态证实了供应的紧张程度。据称，DDR5内存芯片的库存已降至约两周的极低水平，几乎是“生产出来就即刻发货”。同时，NAND闪存的库存也已回归到4-5周的正常化水平。这一局面直接反映了市场需求的强劲，尤其是来自超大规模数据中心服务器和AI生成内容存储的eSSD需求正在激增。

　　基于此，摩根士丹利预测，行业范围内的DRAM合约价格在2025年第四季度将实现高双位数（high-teen-digit）的环比增长，而NAND价格的环比涨幅也将在10-15%之间。

HBM领导地位稳固，资本开支将大幅增长

　　据摩根士丹利估计，SK海力士2026年资本开支预计将大幅超过以往水平，从2025年的约27万亿韩元增长约30%至35万亿韩元。晶圆制造设备(WFE)与基础设施的比例预计将从2025年的55%上升至2026年的60%，主要用于支持M15X工厂的产能爬坡。DRAM仍占WFE总支出的约90%。

　　M15X工厂的启动早于预定计划，设备安装已在进行中，将用于2026年的HBM生产。DRAM和NAND的扩张将由技术迁移推动，包括向1c DDR5和321层QLC(从238层TLC)迁移。摩根士丹利估计2026年总资本支出将增长约42%至35万亿韩元。

　　报告还指出，AI推理计算需求的激增正在推动商品存储器需求增长，消耗库存并维持价格动能。强劲的季度业绩如预期般由AI需求主导，包括推理计算提振商品存储器需求。SK海力士在HBM领域的领导地位以及所有商品存储器需求的阶跃式变化，为其带来更高的存储器定价机会。

　　摩根士丹利在报告中总结称，近期商品DRAM和NAND需求的意外激增，为2026年的严重供应短缺奠定了基础，更强劲的市场状况可能持续至2026年。