HBM挤占产能加剧供应紧张

面对持续的供应紧张预期，内存市场的采购模式正发生结构性转变。

传统上，企业为保持库存管理灵活性，普遍倾向于签订季度或年度的DRAM合同。然而，由于预测显示通用DRAM将持续短缺，企业正日益转向提前锁定额外供应。美国的电子巨头及数据中心运营商已经开始探索与韩国两大内存制造商签订2至3年的中长期协议，以确保其未来几年的供应链稳定。

DRAM价格攀升的部分原因在于产能受到高带宽内存（HBM）的挤压。据报道援引美光首席商务官Sumit Sadhana的言论，HBM消耗的晶圆产能是标准DRAM的三倍以上。由于利润丰厚，内存制造商有充分的动力优先生产HBM。分析预计明年出货的12层HBM4产品的售价为每片500美元，较目前约300美元的12层HBM3e价格高出60%以上。