HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存） 是一种基于3D堆叠技术的DRAM（动态随机存取存储器）解决方案，专为满足高性能计算、人工智能（AI）、图形处理及数据中心等领域对内存带宽和容量的极致需求而设计。通过垂直堆叠多个DRAM芯片，并利用硅通孔（TSV）和微凸块（Microbump）技术实现高速互联，HBM在有限的空间内实现了超高带宽、低功耗和高集成度的完美结合，成为突破传统内存性能瓶颈的关键技术。

内存：它是计算机中用于临时存放数据的部件，相当于手机的“运行内存”（RAM）。CPU或GPU需要处理数据时，会先从硬盘调到内存里，再进行高速运算。

带宽：你可以把它想象成一条高速公路的“通车能力”。带宽越高，意味着单位时间内能有更多的数据车辆在这条路上通行。

高带宽：因此，HBM的核心目标就是打造一条超级宽阔、通行能力极强的“数据高速公路”，确保像GPU这样的“超级计算引擎”永远不会因为“数据供应不上”而闲着。

3D堆叠架构

HBM通过垂直堆叠多层DRAM芯片（通常4-16层），每层容量可达2-24GB，形成高密度存储单元。这种设计不仅大幅提升了内存容量，还通过缩短数据传输路径（相比传统2D DRAM减少70%）降低了信号延迟和功耗。

硅通孔（TSV）技术
TSV在硅芯片中垂直贯穿导电通路，连接不同层次的电路，实现芯片间的高速数据传输。这一技术突破了传统平面布局的限制，使HBM的带宽远超传统DDR内存。