8月5日，日经225指数高开0.95%，报64565.27点；韩国KOSPI指数开盘上涨3.8%，报6603.48点。

　　截至北京时间8:30，日经225指数上涨3.4%；韩国交易所启动SIDECAR机制，暂停KOSPI程序化买盘。两大存储芯片巨头强势上涨，SK海力士上涨6.28%，盘中一度涨超7%；三星电子上涨4.17%，盘中一度涨超6%。

　　当地时间8月4日，美股半导体、存储、光通信概念股普遍上涨，费城半导体指数涨超6%，应用光电涨超19%，COHERENT涨超12%，LUMENTUM涨近9%，ARM涨超17%，迈威尔科技涨超12%，英特尔、闪迪涨超10%，SK海力士美国存托凭证（ADR）涨超8%。

　　据中证海外资讯消息，据市场调研机构Counterpoint Research8月4日发布的《全球内存追踪报告》显示，2026年第二季度，三星电子以39%的市场份额位居DRAM（动态随机存取存储器）市场第一。这一表现归因于通用DRAM需求增长带来的价格上涨，以及HBM（高带宽内存）市场份额的扩大。

　　2026年第二季度，SK海力士DRAM销售额同比增长214%，但其市场份额却从去年同期的39%下降至26%。排名第三的美光科技二季度业绩亮眼，以25%的市占率将与SK海力士的差距缩小至仅1个百分点。

　　Counterpoint Research分析称，SK海力士市占率下滑的原因在于其HBM出货量和销售额占比在竞争对手中最高，因此受到HBM平均价格下跌的影响较大。此外，SK海力士比竞争对手更早签订了长期供应协议，而在内存价格上涨周期中，早期谈判确定的固定价格低于当前水平。

　　2026年第二季度，长鑫存储收获7%的市场份额，排名第四。受益于强劲的国内通用DRAM需求和产能扩张，长鑫存储二季度销售额同比增长716%，增幅为所有厂商中最高。

　　Counterpoint Research分析称，如果长鑫存储能够从PC领域开始，逐步扩展其产能和能力，以满足全球一线客户在国内和海外的需求，那么一年后其市场份额将与现在大不相同。

　　Counterpoint Research表示，今年第二季度，通用DRAM价格环比大幅上涨，而HBM价格则因现有HBM3E产品价格下跌及HBM4发布延迟，同比出现下滑。不过，预计从第三季度起，随着HBM4出货量显著增加，产品组合改善将使HBM价格跌幅放缓，明年HBM价格将跟随通用DRAM价格的上涨而有所攀升。