英伟达近日在SEMICON West 2026上公开展示了下一代共封装光学（CPO）技术，名为OOI（Optics-on-Interposer，中介层上集成光学）。
不同于现有CPO方案，OOI选择拿下有机封装基板，将光引擎直接集成到承载GPU的硅中介层之上，把光电转换环节进一步向芯片内核靠拢，为下一代超大规模AI集群提供全新互联思路。
据英伟达研究院首席研究科学家尼古拉·内多维奇（Nikola Nedovic）介绍，该方案以更大面积的中介层取代现行有机封装基板，目前英伟达已拿到原型样品。
内多维奇是英伟达AI芯片“高速互连+硅光I/O”底层硬件核心科学家，负责研究多GPU/多芯粒之间带宽、功耗瓶颈，支撑GH200等超级芯片集群的互连扩容，是英伟达推进共封装光学、硅光路线的主力成员。
当前量产的CPO方案已将光引擎从可插拔模块拉近至交换芯片旁的有机基板上，电信号损耗从传统方案的约22dB压缩至4dB左右。但即便如此，电信号仍需穿越硅中介层与有机基板两层介质才能完成电光转换。
而OOI技术通过短距离、细间距布线，将光学引擎搬上运算芯片所在的中介层，让电信号不必绕经有机基板，从而提升传输效率、降低功耗，同时提升带宽密度，突破AI芯片对外传输瓶颈，与目前GPU通过中介层高速连接高带宽内存（HBM）的思路相近。
配合OOI同步展出的还有8波长DWDM密集波分复用方案，单光纤内8路32Gb/s通道并行传输，单纤带宽达到256Gb/s，在光纤数量无法无限增加的前提下，靠波长复用来抬升单链路容量，和OOI高密度电接口形成搭配，进一步释放封装内带宽潜力。
OOI和DWDM目前仍处于研究阶段，暂无商业化时间表。内多维奇坦言，团队正在攻克商业化落地的难题，“我们正在为未来产品提出并评估技术，同时解决阻碍其商业化的各项挑战。”散热是其中最棘手的一环：将对温度敏感的光学元件与功耗动辄数百瓦的计算芯片共封在同一中介层上，热管理难度远非现有CPO方案可比。另外，制造良率与可维修性同样是悬而未决的工程难题。
