有消息称，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片（Base Die）为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），核心裸片（Core Die）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，三星电子已经决定接受英伟达的技术要求。

　　对于此事的真实性，10月19日，三星电子向第一财经记者回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。

　　若采用台积电基底裸片，意味着内存厂商为英伟达供应NVHBM产品时不能完全一体化地设计和生产。但这还不能简单理解为内存厂商将核心环节交给台积电，更大的趋势是，定制化HBM业态产生了新的供应关系。

　　有存储行业人士向第一财经记者表示，英伟达的要求是在HBM定制的背景下提出的。基底裸片不属于HBM内存的部分，核心的内存部分仍由内存厂商生产，除了这类定制化HBM，内存厂商还有标准HBM产品。

　　TrendForce集邦咨询分析师王豫琪告诉第一财经记者，基底裸片位于HBM堆叠的最底层，是核心裸片与AI芯片之间唯一的信号通道，负责接口与信号分配等功能，其稳定性直接影响HBM性能。自HBM4起，为满足性能需求及功耗、散热条件，部分厂商基底裸片已采用12nm、4nm等先进逻辑制程，后续为进一步提升运算性能，采用定制化基底裸片的HBM成为产业发展趋势。

　　关于基底裸片和NVHBM的作用，英伟达在8月的一篇技术博客中解释：传统的HBM架构将内存控制器放在XPU（AI加速单元）上，消耗了本可用于计算的硅片区域，而NVHBM将英伟达定制的内存控制器集成到HBM基底裸片中，使计算芯片能更多用于计算。相比标准HBM4e，NVHBM内存带宽可多出30%，功耗可降低15%。

　　“英伟达在建立统一的NVHBM实现标准，由多家内存厂商供应，减少跨多家供应商的集成和验证工程工作量。”英伟达称。

　　从供应链变化看，王豫琪告诉记者，目前标准HBM的基底裸片由各DRAM原厂自行设计，制造方面包含自制与交给台积电生产两种模式。各家供应商的HBM都需通过AI芯片性能验证与CoWoS封装验证。而未来定制化基底裸片将由HBM原厂、芯片设计厂商等共同设计，生产可交给台积电。

　　统一采用台积电生产的特定基底裸片，是HBM定制化的一部分。此前有行业分析人士告诉记者，以GPU为例，定制化HBM的好处是将一些GPU电路放在HBM那片采用逻辑制程制造的芯片上，以减少HBM和GPU之间的沟通数据量，预计2027年将有一些HBM大客户采用定制化方案。

　　业内对定制化HBM已趋于重视。除了存储厂商，AI芯片设计厂商Marvell此前也在一篇博客中表示，该公司与三星、美光和SK海力士合作将定制内存解决方案推向市场，定制HBM为存储行业打开了新的篇章，是行业最大的趋势之一。