存储芯片刚开始第一波后期会分化会出现新王者。

三星为避免导致其在 DRAM 领域失去主导地位，希望通过其基于更先进的1c DRAM 的 HBM4的大规模生产，来确保对SK海力士的竞争优势。根据此前的传闻，三星1c DRAM良率突破50%，HBM4 逻辑芯片良率已达到惊人的 90%。三星HBM4预计将会在今年四季度，目前暂未有延迟迹象。

业界人士指出，HBM4 是针对AI 与资料中心高功耗运算而设计的关键元件，对频宽、功耗与堆叠整合的要求远高于前代。相较之下，SK hynix 已在上月率先完成全球首条HBM4 量产线，三星电子也在本月的「2025 半导体大展（SEDEX）」上公开HBM4 实品并启动量产准备，技术差距正进一步扩大。

美光若持续落后于SK海力士和三星，不仅将错英伟达的HBM4的主要采购机会，也可能在新一轮AI数据中心订单中被SK海力士和三星排挤。市场预期，短期内HBM4 市场仍将由SK海力士与三星主导，美光能否在2026 年重回竞争行列，将取决于其HBM4 设计修正与良率提升的进度。