9月8日，荷兰光刻机制造商阿斯麦（ASML）连续发布三项公告，宣布与台积电、三星电子及英特尔晶圆代工（Intel Foundry）推进高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术应用。其中，台积电计划自2030年起将阿斯麦High NA用于先进制程大规模生产；三星计划于2028年前首次将High NA用于DRAM大规模生产。英特尔则表示，目前已处理超过100万片采用High NA相关技术的晶圆。

　　阿斯麦还宣布与台积电成立行业合作计划，推动EUV光罩从目前的6英寸向12英寸升级，目标于2031年建立12英寸光罩试产线，并于2033年推动12英寸High NA光刻系统进入先进制程生产。阿斯麦表示，12英寸光罩有望提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本并消除光罩拼接限制。