台积电预计2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术
来源：财联社
阿斯麦与台积电9月8日宣布成立行业合作计划，推动高数值孔径（HighNA）极紫外光刻（EUV）光罩从目前的6英寸向12英寸升级，以提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本并消除拼接限制。双方计划于2031年建立12英寸光罩试产线，并推动12英寸高NA EUV光刻系统于2033年进入先进制程量产。台积电预计2030年起在先进制程大规模生产中采用ASML高NA技术。
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