2025年11月，闪存龙头宣布NAND闪存合约价格大幅调涨50%，叠加9月以来存储芯片连续三个月的持续上涨，全球存储市场正式进入“超级周期”。这场由AI算力革命引发的存储芯片涨价潮，正在重塑半导体产业格局，而科创半导体ETF鹏华（589020）恰逢其时地成为投资者捕捉这一历史性机遇的核心工具。

存储芯片涨价的底层逻辑已突破传统供需周期。存储大厂工作人员在进博会现场指出：“AI需求超出预期导致产能向企业级迁移”。具体表现为DDR4产线减产转向DDR5服务器存储，HBM产能被头部客户提前锁定两年，而数据中心对ESSD企业级固态硬盘的需求激增。这种结构性调整在集邦咨询数据中得以验证：2025年Q2 海某士以38.7%市场份额位列DRAM榜首，三某星以32.7%紧随其后，两者合计超70%份额形成绝对主导；NAND市场三星占32.9%，SK集团含Solidigm达21.1%，合计超50%控制力。

值得关注的是，本轮涨价呈现显著的技术代际特征。SK海某士工作人员强调，HBM作为AI算力芯片的临时数据交换中枢，与长期存储的ESSD形成协同效应。集邦咨询进一步指出，AI推理需求推动122TB/245TB超大容量Nearline SSD加速替代HDD，尽管SSD单价更高，但大型数据中心综合运营成本降低20%的测算，证明其经济性已超越传统机械硬盘。

国内产业链在此轮周期中展现出独特韧性。长某鑫存储作为国内唯一规模化DRAM生产商，其存货有效缓解中高端移动设备缺口；长江某存储128层3D NAND良率95.2%，首条全国产化产线即将投产，企业级SSD出货量同比增长138.66%。江波龙三季度归母净利润暴增1994.42%，印证封测环节通过高周转效率实现价值传递。但三星工作人员也坦言：“国内产能填补需要设备购置与调试周期，封测厂如江波龙、佰维存储仍受制于原厂产能供给。”

上证科创板半导体材料设备主题指数行业分布图：

（数据来源：iFinD，截止时间2025年11月12日）

从资本配置视角观察，科创半导体ETF鹏华（589020）精准对标科创板半导体材料设备主题，其重仓股包含长某鑫存储、长江某存储等战略资产，以及江波龙、兆易创新等封测龙头。该基金三季度数据显示，其持仓组合自9月上市以来在AI存储风口下实现三季度收益25%，显著跑赢沪深300指数。相较于科创芯片ETF指数（588920）更侧重芯片设计环节，科创半导体ETF鹏华通过设备和材料领域布局形成独特优势。

国际大厂工作人员预测，本轮涨价周期将至少持续至2026年上半年。随着长鑫、长江等企业的产能释放。当前400亿国产存货已形成市场“定心丸“，长电科技HBM封装产能利用率超90%，兆易创新车规级存储通过特斯拉认证，均显示国产供应链的成熟度提升。

这场由AI算力驱动的存储革命，正在创造十年一遇的投资窗口。科创半导体ETF鹏华（589020）通过精准布局存储芯片产业链核心资产，既规避了单一环节的价格波动风险，又充分享受超级周期带来的行业贝塔收益。当全球存储市场进入卖方市场，这支聚焦科创板的半导体ETF，已成为投资者穿越周期、把握结构性机遇的硬核选择。

半导体板块关联个股：拓荆科技、中微公司、华海清科、沪硅产业、安集科技、中科飞测、芯源微、盛美上海、华峰测控、天岳先进。

（数据来源：iFinD，截止时间2025年11月12日；文中个股仅作示例，不构成实际投资建议。基金有风险，投资须谨慎。）

相关基金：

$科创半导体ETF鹏华(SH589020)$、$科创芯片ETF指数(SH588920)$、半导体ETF（159813）、科创AIETF鹏华（589090）

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