全球存储市场正经历新一轮涨价潮，DRAM与NAND价格指数半年内分别飙升72%与近10%。本轮涨价潮的核心驱动力在于AI算力需求对高附加值存储产品的刚性需求——OpenAI新建5个AI数据中心带来超4000亿美元投资，直接拉动企业级存储需求，而头部厂商产能向DDR5、HBM及LPDDR5X倾斜的策略，更将DDR4、LPDDR4X等传统产品推向供不应求的边缘。
受相关消息影响，今日科创芯片ETF588920大幅上涨超5.7%，成分股芯原股份涨超15%，澜起科技涨超8%。
科创板存储芯片企业在此轮变革中扮演关键角色。澜起科技（688008）作为内存接口芯片全球龙头，其DDR5 RCD芯片市占率达45%-50%，HBM配套接口芯片已通过国际存储巨头验证并实现小批量供货，2025年Q3净利润同比增幅达152%，毛利率稳定在65%以上。东芯股份（688110）则聚焦NAND Flash与DRAM的国产替代，其128Mb SLC NAND Flash已通过工业级认证，企业级存储产品正切入数据中心供应链。聚辰股份（688123）的DDR5 SPD EEPROM产品率先实现量产，受益于DDR5渗透率提升，车规级产品已进入特斯拉供应链。
不同于传统存储周期，本轮涨价具有长期性特征。国际存储巨头将DDR4产能压缩至20%以下，年底停接LPDDR4X新单，而国内厂商如佰维存储（688525）的企业级SSD订单暴增200%，晶圆级封测产线2025年投产将降低30%成本。这种结构性调整推动DDR5 16G价格从6.02美元飙至7.349美元，512GB TLC NAND单月涨幅近10%，企业级存储价格四季度预计持续上行。
科创芯片ETF588920精准捕捉这一趋势。其成分股中，澜起科技、东芯股份、聚辰股份等科创板企业深度参与DDR5/HBM产能扩张，形成对AI算力需求的直接响应。例如，澜起科技的PCIe 5.0 Retimer芯片已批量供货英伟达、亚马逊，而佰维存储的ePOP产品供货Meta AI眼镜，企业级SSD中标“东数西算”项目。这些企业通过技术迭代与产能布局，在AI算力军备竞赛中形成高壁垒。
相比之下，科创半导体ETF鹏华（589020）的布局更集中，覆盖设备和材料产业链，但其在存储芯片领域的持仓更侧重于产业链协同。588920则更聚焦于存储芯片在AI算力中的战略卡位，其成分股中存储相关企业占比更高，直接受益于存储涨价潮与AI需求爆发。
从技术演进看，存储厂商的制程转换已进入关键阶段。美光HBM4启动客户送样，2026年产能意向订单占比超80%；长江存储17n米工艺DDR5产品良率突破80%，HBM3样片进入冲刺阶段。这种技术升级与产能扩张的共振，为科创芯片ETF588920提供了持续收益来源。
在AI数据中心建设热潮中，存储芯片已成为算力基础设施的核心瓶颈。科创芯片ETF588920通过精准布局科创板存储芯片企业，既捕捉本轮涨价潮的短期收益，又锚定AI算力长期需求。而科创半导体ETF鹏华（589020）的精准布局，则为投资者提供半导体产业链中设备和材料环节的配置工具。两者形成互补，共同构成投资科创半导体领域的双引擎。
科创半导体关联个股：海光信息、澜起科技、中芯国际、寒武纪、中微公司、芯原股份、华虹公司、沪硅产业、华海清科、晶晨股份
（数据来源：iFinD；截止时间2025年10月9日；文中个股仅作示例，不构成实际投资建议。基金有风险，投资须谨慎。）
相关基金：
$科创芯片ETF指数(SH588920)$ 、$科创半导体ETF鹏华(SH589020)$
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