受益于涨价逻辑驱动存储芯片方向延续强势，据周一市场消息，由于供应紧张，三星对其DRAM和NAND闪存产品进行了大幅提价，提价幅度高至30%；本轮涨价潮反映出存储芯片行业正经历结构性转变。随着HBM市场竞争加剧，传统DRAM和NAND产品有望在2026年迎来更可持续增长。而产业链国产化逻辑同样受到市场的追捧，多家机构研报认为，在政策强力支持、市场需求巨大、技术逐步突破等多因素催化下，到2025年或2027年，我国半导体产业的整体国产化率有望提升至25%-30%。（消息来源：财联社；数据来源：wind，时间截至20250923。以上仅供参考，不构成投资建议。）
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