半导体国产替代已从“单点突破”转向“全链条攻坚”,设备、材料、制造环节的业绩兑现
半导体国产替代已从“单点突破”转向“全链条攻坚”,设备、材料、制造环节的业绩兑现节奏持续加快。设备端,北方华创的刻蚀机、薄膜沉积设备(PVD/CVD)已进入中芯国际、华虹半导体的14nm产线,2025年上半年设备交付量同比增长80%,订单排期至2026年;中微公司的5nm刻蚀机通过台积电验证,打破海外垄断。材料端,安集科技的CMP抛光液在先进制程的渗透率突破40%,江化微的高纯电子化学试剂进入长存、长鑫的3D NAND产线,国产材料在晶圆制造中的成本占比从5%提升至12%。制造端,中芯国际的14nm FinFET工艺良率稳定在95%以上,28nm成熟制程产能利用率维持满产,支撑国内设计企业的芯片代工需求。策略上需聚焦“技术迭代+产能爬坡”,选择进入主流晶圆厂供应链、有明确营收增长的标的,回避纯概念炒作的设备材料企业。
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