#观点搭子团火热招募中！##热点话茬#打卡5天。中国半导体产业近年来最令人振奋的进展之一，莫过于在核心设备领域的重大突破。2024年底，我国自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备正式交付使用，标志着我国在光刻工艺关键技术上迈出了实质性一步。
该设备由国内某顶尖科研机构联合龙头企业共同研发，支持线宽小于10纳米的高精度图案化工艺，其分辨率、套刻精度和生产效率等多项指标已超越荷兰ASML、日本佳能等国际巨头的同类产品，打破了长期以来西方在高端光刻设备领域的绝对垄断。
这项技术突破的意义远不止于单一设备的国产化。它意味着我国在半导体制造的核心环节——图形转移工艺中，拥有了自主可控的技术路径。传统光学光刻受限于光源波长，难以进一步缩小制程节点，而纳米压印技术通过物理模板复制的方式，绕开了传统光刻的技术瓶颈，尤其适用于特定应用场景如DRAM、NAND闪存及部分逻辑芯片的制造。
更重要的是，这种非传统路线为中国开辟了一条“换道超车”的可能路径，减少了对极紫外（EUV）光刻机等被严格出口管制设备的依赖。
@易方达基金

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