南京大学王欣然/李涛涛团队与东南大学王金兰团队合作，在国际顶级学术期刊《科学》发表研究成果，成功开发"氧辅助金属有机化学气相沉积技术"，突破了大尺寸二硫化钼薄膜规模化制备的技术瓶颈。该技术有望推动二维半导体从实验室走向产业化应用。

1、技术突破：创新氧辅助工艺解决两大行业难题

研究团队在传统金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术基础上，创新性地引入氧气辅助工艺。通过让氧气在高温环境下与前驱体中的碳元素结合，有效减少了碳污染问题，同时突破了传统技术存在的反应动力学限制。实验显示，该技术使二硫化钼薄膜生长速率较传统方法提升2-3个数量级。

2、产业化进展：成功制备6英寸薄膜

目前，研究团队已利用该技术成功制备出6英寸二硫化钼薄膜，并掌握了二维半导体衬底工程、动力学调控等产业化关键技术。团队正加紧研发新型气相沉积设备，下一步将尝试规模化制备12英寸二硫化钼薄膜，以匹配现有硅基半导体产线的主流规格。

3、行业意义：为后摩尔时代提供新材料方案

随着硅基芯片性能逼近物理极限，二硫化钼等二维半导体因其优异电学性能成为重要替代方案。《科学》审稿人评价认为，此项研究攻克了传统MOCVD技术长期难以解决的动力学限制与碳污染难题，对推动二维半导体从实验室走向生产线具有重要意义。

这一技术突破为我国在后摩尔时代半导体材料领域赢得了先发优势，为未来集成电路产业发展提供了新的技术路径。

信息来源：中国原子能科学研究院官方发布。信息来源：《科学》期刊、新华社报道

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