我国科研团队在光量子芯片领域取得重要进展。中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合中山大学、中国科学技术大学，成功实现了基于固态原子（半导体量子点）确定性单光子源与低损耗铌酸锂薄膜的混合集成光量子芯片，为构建可扩展的片上量子网络奠定了基础。

1、技术突破：攻克量子光源集成难题

研究团队针对光量子芯片中多光子态扩展化制备的长期难题，创新性地发展出基于“微转印"工艺的百纳米精度混合集成技术。该技术成功实现了多达20个确定性量子点单光子源的同步片上集成与光谱调谐，构建了目前国际上基于量子点确定性光源的最大规模混合集成光量子芯片。

2、创新亮点：五大关键技术特性集成

团队提出基于铌酸锂薄膜铁电畴工程的新型直流电压驱动局域应力调控技术，实现了芯片集成、宽域调谐、4K低温兼容、超低功耗（mW量级）、可逆调控五个关键特性的集成。这一方法将片上量子调控的功耗降低了三个数量级，为未来大规模量子集成提供了可行的技术路径。

3、应用前景：为量子互联网提供新方案

该研究的量子点单光子源片上集成密度达到67个/mm，厘米级芯片可容纳1000+量子通道。其低温兼容性和微瓦级功耗特性，使得与超导纳米线单光子探测器的同时芯片集成成为可能。研究团队表示，未来将进一步利用铌酸锂材料的高速电光效应，实现片上光子的高速路由与纠缠分发，为容错线性光量子计算与可扩展量子互联网提供新的技术方案。

这一突破结合了自组装量子点与铌酸锂两种量子材料的优势，为扩展化光量子芯片发展提供了新的技术路线，标志着我国在光量子计算硬件研究领域迈出重要一步。

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