北京大学科研团队在集成电路制造关键技术领域取得重要进展，通过创新性地应用冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为。该项研究成果已发表于《Nature Communications》期刊。

1、技术突破：打开光刻显影过程的“黑匣子”

光刻胶在显影液中的溶解行为是影响芯片电路图案精度的关键因素。研究团队成功将冷冻电子断层扫描技术引入半导体制造领域，获得了分辨率优于5纳米的微观三维结构图像，突破了传统技术无法实现原位、三维、高分辨率观测的技术瓶颈。

2、产业化应用：提升先进制程良率

这项技术突破为7纳米及以下先进制程的良率提升提供了新路径。通过精确解析光刻胶在显影过程中的微观行为，有望指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案，推动光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的优化。

3、研究意义：为液相界面反应提供新工具

该技术为在原子和分子尺度上解析各类液相界面反应提供了强大工具。深入掌握液体中聚合物的结构与微观行为，将对半导体制造工艺的精确控制产生深远影响。

这项基础研究的突破，为我国集成电路制造技术的自主创新提供了重要科学支撑，有望在未来芯片制造工艺优化中发挥关键作用。

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