近日，据《科创板日报》及台湾工商时报等媒体报道，受AI算力需求持续爆发影响，DRAM与NAND Flash全球市场出现供应紧缺，且缺货态势较此前行业预期更为严峻。多方信号显示，这一轮供需失衡不仅可能延续至2026年，还将推动存储芯片价格进入新一轮上升周期。在笔者看来，此次“缺货潮”并非短期波动，而是AI产业化深入过程中存储产业链结构性转变的重要信号。
从需求端来看，当前存储市场的紧张源于多重动力叠加。
大模型训练、推理应用及边缘AI设备大规模落地，显著推高了高带宽内存（HBM）、大容量SSD和LPDDR产品的需求。与传统消费电子市场不同，AI带来的存力需求具备高性能、高可靠性和持续增长三大特征，对供应链提出更高要求。而当前能够稳定供应HBM、高速NAND等高端存储产品的厂商高度集中，产能爬升需要时间，短期内难以匹配快速扩张的市场需求。
从供给端分析，存储行业历经2022-2023年的下行周期，部分厂商主动削减资本开支、延缓新产能建设，导致当前整体晶圆投片量偏紧。
尽管三星、SK海力士、美光等龙头纷纷宣布加快扩产，但产线建设、产品验证和良率提升仍需周期，2025年之前新增产能有限。此外，存储芯片向更先进制程（如200+层NAND、HBM3E）迁移的过程中，也面临技术瓶颈和产出波动，进一步加剧了供应压力。
这一轮缺货潮反映出存储行业正从“通用标准品大规模制造”转向“高性能、定制化、高附加值”产品为主导的新阶段。
未来两年存储市场将呈现以下特征：
一、价格进入上行通道。预计2024年四季度合约价将继续抬升，2025-2026年企业级SSD、HBM等细分市场或出现较长时期的供不应求。
二、产业链竞争格局深化调整。技术领先、产品组合偏向高端存储的厂商将更具议价能力和盈利弹性，而依赖传统产品的企业则可能面临边际收益下降。
三、AI存力需求成为长期增长极。除了AI训练集群，端侧AI设备、智能汽车、工业智能化等场景也将持续推升存储容量和性能要求。
对于投资者而言，应重点关注在HBM、高速SSD等领域布局较早、技术实力雄厚的龙头企业，以及已在先进封装、材料、测试等关键环节形成配套能力的国产厂商。同时需警惕产能扩张后期可能出现的周期性回调风险。
也要认识到，当前缺货虽带来短期机会，但如何平衡产能投入与技术演进、避免重复低水平建设，仍是整个行业需要思考的课题。尤其是在中国半导体产业自主可控的大背景下，建立健康、可持续的存储供应链生态，比追逐短期价格波动更具战略意义。
综上所述，本轮存储缺货潮本质是AI推动的产业升级与原有供应链节奏之间的错配。它既提示了市场机遇，也提醒我们：真正具备技术护城河和生态整合能力的企业，才能穿越周期，持续领先。
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