生成式人工智能模型参数规模扩张，对内存带宽需求呈指数级增长，传统存储架构难以满足要求。hbm凭借3d堆叠结构、超高传输速率及低功耗特性，成为高端gpu与ai加速芯片的核心组件。国家推动集成电路自主可控与算力基建，hbm正从高性能计算专用器件向规模化ai集群部署渗透。存储芯片需求结构发生变化，dram产业价值分布向高附加值、高技术壁垒的先进存储品类集中。

hbm量产依赖tsv、再布线层（rdl）及晶圆级键合等中道工艺的成熟度，tsv是实现垂直互联的核心工序。tsv涉及深孔刻蚀、铜填充电镀、高温退火等极限制程，直接决定堆叠层数、良率与可靠性。全球hbm扩产中，中道工艺成为产能爬坡的主要制约因素，相关设备投资占比显著提升。工艺复杂度提高，倒逼前道光刻、刻蚀及后段封装设备技术融合与迭代升级，催生中道设备新赛道。

hbm采用2.5d/3d封装架构，对底部填充胶、高纯度锡球、低介电常数塑封料等材料提出新挑战。日韩及欧美企业主导供应高端材料，但国内试产线建设提速，地缘政治推动供应链安全考量。本土材料厂商加速进入客户联合开发与小批量验证流程，部分领域实现初步突破。未来两年内，国产材料供应商有望完成从“送样测试”到“批量导入”的跨越，推动自主化进程。

glp-1受体激动剂从单一降糖工具升级为代谢疾病综合干预核心载体。研发前沿加速向glp-1/gip/glucagon三重激动剂方向演进，显著提升减重效果并改善脂肪肝、血压等。治疗逻辑从“控糖优先”转向“四高共管”（高血压、高血糖、高血脂、高体重）的整体策略。新一代药物有望成为慢病管理一线选择，推动医保支付从“按病种分割”向“按健康结果整合”转型。

折叠屏作为智能手机唯一持续进化的形态，正从“双折尝试”向“三折叠突破”跃迁。三折叠设计拓展屏幕使用效率，支持移动办公、车载交互等场景，重新定义智能终端边界。该类设备对材料强度、弯折寿命、散热集成提出极致要求，推动供应链在精密制造等领域升级。头部厂商布局专属零部件，表明核心技术已具备初步量产可行性，驱动全产业链技术迭代。

国产gpu发展进入“能否用起来”的商业化攻坚期，逐步应用于智算中心、云桌面等场景。行业竞争焦点从单一芯片性能转向软硬协同生态建设，包括驱动适配、编译器优化等。部分企业通过联合操作系统厂商、数据库服务商共建解决方案，推动国产算力一体化落地。生态化发展提升客户粘性和部署效率，形成对国外主流产品的实质性替代路径。

2μm以下超薄铜箔服务于三折叠手机电路集成与半固态电池负极集流体，兼具高延展性等特性。高频树脂用于5g-a基站、ai服务器pcb基板及毫米波雷达模块，满足低介电常数与低损耗因子要求。此类材料横跨消费电子、新能源汽车、通信基础设施等多个高成长赛道，具备“一材多用”特征。国内企业在工艺控制与认证体系上突破，逐步切入国际主流供应链，标志我国材料产业同步研发。