生成式ai模型参数规模持续扩张，ai加速芯片对内存带宽的需求呈指数级增长，传统内存已难以支撑大规模并行计算任务。hbm通过3d堆叠架构与硅通孔（tsv）技术，在单位面积下实现高带宽效率和能效比，成为高端ai芯片的关键配套存储方案。全球存储厂商加速推进hbm4及后续世代研发，产能建设明显向hbm倾斜，预计2025-2026年hbm出货量复合增速将显著高于整体存储市场。hbm已从“可选配置”演变为ai基础设施建设的“战略资源”，其在dram总价值中的占比有望突破20%。

hbm制造的核心瓶颈在于三维堆叠过程中的硅通孔（tsv）工艺，涉及深孔刻蚀、电镀铜填充、绝缘层沉积等高精度工序。湿法电镀设备、深硅刻蚀设备和3d缺陷检测设备技术门槛高，单台设备价值量大，是hbm产线资本开支的重要组成部分。全球头部idm与代工厂加快hbm产能布局，带动上游关键设备订单进入释放前期。随着8层及以上堆叠趋势推动，tsv工艺复杂度大幅提升，相关专用设备需求激增，具备成熟tsv工艺支持能力的设备供应商将优先受益。

hbm的可靠性高度依赖于高性能材料体系，包括高纯前驱体、电镀添加剂、底部填充胶、环氧模塑料、abf载板及热界面材料等。目前上述材料多由日韩美企业主导供应，存在供应链集中与地缘风险。国内hbm研发与产线建设同步推进，材料本土化配套被提上日程，部分企业在电镀液配方优化、载板线路精细加工等方面取得阶段性突破。国产替代一旦实现规模化，不仅可降低整体封装成本，还将提升全产业链自主可控水平，释放长期结构性红利。