生成式人工智能和大模型训练对算力需求激增，传统存储芯片如gddr和dram逐渐无法满足高带宽和低功耗需求。hbm（高带宽存储器）通过3d堆叠和tsv技术实现超高带宽和低延迟，成为ai加速芯片和高端gpu的关键组件。全球存储厂商加速研发hbm4及后续世代，预计ai服务器出货量将在2025年大幅提升，hbm从定制化逐步向规模化应用过渡。hbm市场增速预计将显著超越整体dram产业，形成独立的景气周期，成为存储行业中附加值最高的细分赛道。

hbm的3d堆叠结构依赖tsv（硅通孔）工艺，涉及深孔刻蚀、铜电镀填充、化学机械抛光等多个复杂步骤，良率挑战较大。tsv工艺流程长且精度要求高，相关专用设备如深硅刻蚀机、电镀设备、高温真空键合机等价值量显著提升。目前国际厂商主导高端设备供应，但国内存储厂商加速hbm研发，国产设备企业迎来技术验证和客户导入窗口期。在电镀、湿法处理和封装检测等细分环节，国产设备企业存在“弯道突破”的机会，供应链安全需求进一步推动本土化进程。

hbm采用2.5d/3d封装架构，对封装材料提出高性能要求，包括高纯电镀液、微凸块焊料、环氧模塑料（emc）、abf载板等。这些材料需满足超高纯度、低颗粒污染和热应力匹配等严苛指标，长期被日韩及中国台湾地区企业垄断。随着国内hbm项目推进和封测厂扩产，本土材料企业在多个方向取得实质性进展，如电镀液完成中试验证，高端abf载板启动送样测试。政策支持与产业链协同背景下，功能性湿电子化学品和先进封装基板等领域有望实现技术突破，打开国产替代新空间。