Meta等科技巨头AI资本支出扩张对英诺赛科(02577.HK)构成明确且持续的潜在利好，核心逻辑在于其氮化镓(GaN)功率器件是AI数据中心高效供电的关键组件，直接受益于数据中心建设与电源架构升级的双重需求爆发。 一、利好核心逻辑 1.需求端爆发- Meta预计2026年资本支出达1250-1350亿美元(同比+73%)，微软、谷歌等同步加码，AI基础设施进入新一轮扩张周期，重点投向数据中心、网络及定制芯片- AI计算爆发推动数据中心单机柜功率密度从200kW跃升至300-600kW，催生对高效功率器件的刚性需求- 英诺赛科的GaN器件相比传统硅器件具备高频高效、小型化、低损耗优势，完美匹配AI数据中心高密度、高可靠性供电需求2.产品与客户精准匹配- 英诺赛科是全球首家大规模量产8英寸GaN晶圆的IDM企业，绑定英伟达800VDC电源架构，为其AI Factories提供核心功率器件- 数据中心业务是公司增长引擎，2025年AI及数据中心芯片交付量同比暴涨669.8%，英伟达GB300服务器预计为其带来10-15亿元新增收入(占2024年营收121%)- Meta数据中心建设将采用类似高效电源架构，直接拉动对英诺赛科650V/700V高压GaN器件和200V中压产品的需求3.产业链传导明确- 摩根大通指出，AI基础设施支出将带动半导体产业链持续受益，功率半导体是数据中心建设中不可或缺的环节- 英诺赛科产品覆盖数据中心前端PSU(PFC/LLC)、48V转12V DC-DC转换等全链路，提供1kW-8kW高效解决方案，适配Meta等巨头的兆瓦级供电需求- 公司良率已提升至95%，8英寸产能规划2027年达每月7.2万片，具备支撑全球AI数据中心规模化部署的供应链实力。