金融界2025年5月1日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海
$中芯国际(HK|00981)$ 金融界2025年5月1日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN119893996A，申请日期为2023年10月。通过优化干法刻蚀和湿法刻蚀工艺，减少聚合物杂质对氧化层厚度的影响，提升后续半导体结构的性能和可靠性 。该专利涉及堆叠栅结构侧壁的氧化层控制技术，适用于高性能芯片制造。
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