经历2024年产能扩张、价格承压的环境之后，进入2025年，碳化硅（SiC）市场正走向价格逐渐企稳的阶段，同时也迎来AI领域新的发展机会。
业内人士对21世纪经济报道记者分析，虽然今年碳化硅衬底价格依然在下滑，但态势已经与2024年有所不同。而在应用层面，除了新能源汽车依然是碳化硅当前最大应用市场之外，AI数据中心和AR眼镜等新场景也在静待爆发，有望打开行业新的成长曲线。
逐渐筑底
从宏观来看，碳化硅衬底领域公司依然面临价格竞争带来的阶段性压力，但相比前一年似乎已经有所改善。
国内碳化硅衬底头部企业天岳先进此前发布的三季度财报显示，期内公司实现营业收入3.18亿元，同比下降13.76%，前三个季度营收合计下降13.21%；第三季度公司实现归母净利润为亏损976万元，同比下滑123.72%，前三个季度合计下滑99.22%。
公告指出，营收下降的原因在于，为应对激烈的市场竞争，扩大碳化硅产品的市场应用，争取更高市场份额，公司战略性调降了产品销售价格。
净利润下行，则是主要受到产品销售价格下降影响，营业收入及毛利减少；同时新产品客户测试送样使销售费用增加，大尺寸、新应用产品研发投入使研发费用增加，外汇汇率变动产生汇兑损益使财务费用同比增长。
天岳先进的表现也是当前碳化硅衬底行业普遍面临的竞争情况缩影。
回溯碳化硅衬底市场的价格波动逻辑，CIC灼识咨询董事总经理余怡然对21世纪经济报道记者指出，相较于前几年由工艺改善带来良率提升，2024年碳化硅衬底材料降价主要是由于产能扩张，衬底厂商间的竞争加剧。
“2024年的6英寸碳化硅导电型衬底全年降幅约达30%，部分厂商报价低于3000元每片，已经逼近大多数厂商的成本线。今年虽然延续了去年的降价趋势，但整体来看，比去年下降走势放缓，降价空间有限。其中，车规级和定制化产品类价格依旧坚挺，而低端和通用性应用的衬底价格竞争会相对激烈一些。”她进一步补充道。
TrendForce集邦咨询分析师龚瑞骄也告诉21世纪经济报道记者，6英寸碳化硅衬底价格在今年仍然有较明显的下滑趋势，但基本已经触底，预计后续价格将相对平稳。
对于碳化硅目前的市场情绪，在12月5日的线上投资者交流活动中，天岳先进公司高管回应道，产品价格走势受宏观经济、供需关系及行业发展阶段等多重因素影响。近期行业产能结构不断优化，下游去库存周期的逐步推进，行业非理性竞争因素正在减少，价格体系将会逐步回归理性与稳定。
“公司感受到下游客户采购意愿随行业需求回暖逐步提升，功率半导体与碳化硅市场正呈现积极态势。8寸及12寸产品作为行业主流升级方向，受益于新能源车、储能、数据中心、先进封装、AR光波导等领域的需求释放。”公司高管如此指出。
国内除了扩产6英寸碳化硅衬底之外，积极推进向8英寸更大尺寸发展也是重要趋势。
余怡然对记者指出，国内8英寸衬底产能增速非常快，但和6英寸总量相比体量仍有限。“理论上8英寸单位面积更大，折算到单颗芯片中，长期有明显的成本摊薄优势，但是目前良率、设备折旧、工艺成熟度仍有进步空间，对于下游厂商来说暂时没有量产降本的明显效果。”
她同时提到，从6英寸切换到8英寸产品需要产品重新导入，存在一定周期，预计8英寸放量仍需一段时间。“从应用上来看，新能源汽车是碳化硅功率器件最大的下游，需求稳定增长，从6英寸切换到8英寸经济性优势明显，有望最先成为8英寸量产落地的场景。”
AI新需求
不过在应用过程中，碳化硅也有不同的价值量体现。
余怡然对21世纪经济报道记者分析道，碳化硅的核心材料优势在于其优异的高耐压特性，使其在千伏以下的中低压市场更易出现产品同质化和价格竞争。
相比之下，电网、轨道交通等高压至超高压领域对晶体质量、器件结构和制造工艺的要求显著更高，技术门槛与可靠性标准远超常规功率器件，因此能够维持更高的价值量与更稳健的价格体系。
同时，在车规级应用中，碳化硅模块必须经过长周期的可靠性验证与功能安全认证，并与主机厂在平台生命周期内保持紧密协同。这种深度绑定特性显著提高了供应替代成本，使得该领域的竞争相对温和、价格韧性更强。
此外，如火如荼发展的AI行业也正延伸出对碳化硅的应用需求。
头部大厂已经表达出对碳化硅的高度兴趣。英伟达今年5月在官网发布博文提到，从2027年开始，NVIDIA正在率先向800 V HVDC（高压直流）数据中心电力基础设施过渡，以支持1 MW及以上的IT机架。
英伟达特别提到了此举背后的合作伙伴，芯片供应商包括英飞凌、纳微半导体、罗姆、意法半导体、德州仪器等。
英飞凌也随之宣布，正与英伟达合作，开发基于全新架构的前述800V高压直流（HVDC）系统，英飞凌将该系统提供硅、碳化硅和氮化镓器件解决方案。
纳微半导体也提到，英伟达的合作主要支持为其GPU供电的“Kyber”机架级系统，该系统由GaNFast和GeneSiC电源提供技术支持。
余怡然向记者分析道，全球数据中心正经历算力和功率密集度的爆发性增长。英飞凌最新推出的数据中心PSU广泛采用碳化硅（SiC）功率器件，以提升能效、功率密度和系统可靠性。同时，英伟达宣布逐步部署800V高压直流数据中心架构，为SiC器件在高压、高功率应用中的采用提供了明确的市场驱动力。
“尽管如此，从整体市场体量来看，新能源汽车在历经过去几年的发展已形成稳定且规模客观的市场基础，并在未来3–5年内保持SiC最大应用领域；相比之下，数据中心市场虽然目前体量尚小，但由于高功率、效率驱动的采纳加速，以及HVDC架构落地带来的系统升级需求，其增速将有望成为SiC应用领域中最快的。”她补充道。
龚瑞骄也对记者指出，短期内汽车应用仍然是SiC市场的主要驱动力，但AI数据中心具有极高的边际增量潜力，若未来800 HVDC电力架构被头部玩家广泛采纳，成长空间非常可观。
集邦咨询发布的《2026年十大科技市场趋势预测》中提到，数据中心服务器机柜功率从千瓦级(kW)迅速攀升至兆瓦级(MW)，供电模式正转向800V HVDC架构，以最大限度地提高效率和可靠性，大幅减少铜缆用量，并支持更紧凑的系统设计，第三代半导体SiC/GaN正是实现这一转型的关键。
该机构分析，SiC主要应用于数据中心供电架构的前端、中端环节，负责处理最高电压和最大功率的转换操作。尽管目前SiC功率半导体在最高电压额定值方面仍落后于传统Si（硅基），但其具备卓越的热性能和开关特性，对于下一代的固态变压器(SST)技术至关重要。
对于AI服务器领域的机会进展，天岳先进在业绩会上提到，“我们的衬底产品最终可应用于AI数据中心等终端领域，并已推出相关定制化产品，可为未来潜在需求提供技术支撑。”
2025年碳化硅行业正站在“价格触底”与“AI增量”的交叉时点：短期看，6 英寸衬底价格逐步企稳，为行业复苏奠定基础，车规级产品仍是“利润锚点”；长期看，AI数据中心与AR眼镜将有望成为行业增长的“第二引擎”。
