高带宽内存（HBM）11月27日表现强势，板块中壹石通涨停，国芯科技、炬光科技、华海诚科也涨幅靠前。

　　资料显示，HBM是将DRAM通过先进封装技术堆叠而成，与GPU整合于同一块芯片上，目前AI服务器是HBM最重要的市场。

　　一段时间以来，在AI对HBM的需求激增下，给存储供应链带来了强烈的连锁反应，存储产业迎来一轮洗牌。发展空间更大、利润更高的HBM等方向挤占了传统存储介质产能，存储产业的涨价潮也随之发生，存储“超级周期”也见诸各大报端。

　　比如本月初，SK海力士宣布已与英伟达就明年（2026年）HBM4供应完成价格和数量谈判，其向英伟达供应的HBM4单价确认约为560美元，较当前供应的HBM3E（约370美元）涨价超50%，且超出此前业内预期的500美元的10%以上。

　　调查机构Counterpoint Research此前发表的报告显示，在今年第二季度的全球高带宽内存（HBM）市场中，SK海力士以62%的出货量占据首位。作为全球HBM市场的龙头，SK海力士的此次定价落地或将引爆市场对高端存储芯片的价值重估。

　　有券商研报表示，作为AI时代不可或缺的产品，HBM产业链可关注HBM设备（精智达、华海清科等）、HBM材料（华海诚科、联瑞新材等）、HBM封测（通富微电、佰维存储等）、分销商（香农芯创、商络电子等）等环节。

　　国信证券指出，TrendForce预计4Q25一般型DRAM价格将环增18%～23%，含HBM的整体DRAM价格将环增23%～28%，预计涨幅较前次明显上调；预计4Q25 NAND Flash平均价环增5%～10%，存储进入持续涨价阶段，叠加手机、服务器市场打开国产化空间，我们认为国产存储厂商有望迎来量价齐升机遇期。

　　从规模角度看，国盛证券表示，Yole Group的预测数显示，全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长至2030年的980亿美元，CAGR达33%。HBM在DRAM市场中的收益份额预计将从2024的18%扩大到2030年的50%。