全球存储市场正经历结构性供需失衡，三大存储原厂相继暂停DDR5合约报价，推动现货市场价格剧烈波动。据TrendForce数据，DDR5芯片单周涨幅达30%，部分产品价格月内翻倍，DDR4 16G内存条价格从200元飙升至350-520元区间，NAND闪存晶圆价格单周上涨28.57%。此轮涨价核心驱动力源于人工智能革命对存储芯片的“吞噬式需求”——AI服务器单台内存需求高达3TB，是普通服务器的数十倍，HBM需求年增长超80%，驱动存储技术向高带宽、低延迟方向迭代。
数据来源：iFinD，截止时间2025年11月7日；
本轮上行周期呈现三大特征：需求结构升级、供给刚性约束、价格传导顺畅。AI训练与推理需求推动HBM和eSSD成为增长极，HBM毛利率达50%-60%，远高于传统DRAM的30%。原厂产能扩张谨慎，韩国大厂计划2025年Q4量产HBM4，SK HBM产能翻倍至15万片/月，但DDR4产能加速退出，成熟制程产能向AI芯片倾斜，导致标准DRAM供应短缺。价格传导链条从原厂延伸至模组厂，终端客户接受度提升，如手机厂商被迫接受内存成本上涨，部分机型价差扩大至3000-4000元。
数据来源：iFinD，截止时间2025年11月7日；
科创芯片ETF指数（588920）精准捕捉存储产业链上行机遇。该ETF跟踪指数覆盖半导体设备、材料及先进封装环节。聚焦集成电路制造与销售，与北方华创、中微公司等设备企业形成协同效应，2025年上半年半导体设备企业营收同比增长30.6%，归母净利润增长19.8%。
市场预测2025年Q4存储涨价幅度或超预期。TrendForce预计DRAM价格季增13%-18%，部分产品涨幅达30%，NAND 第四季度合约价增长5%-10%，并且很有可能再度上修。群智咨询分析，存储价格涨势将延续至2026年上半年，原厂库存仅约2周，对价格形成持续支撑。在AI与国产化双主线下，存储产业链业绩兑现空间显著：江波龙第三季度净利润暴涨1994%，兆易创新DDR5产品良率突破85%，长电科技HBM封装良率达98.5%。
数据来源：TrendForce，截止时间2025年11月7日；
风险方面需关注技术迭代。HBM4、3D DRAM等新技术可能颠覆现有格局，国内企业需加快研发投入。估值亦需警惕，部分存储概念股近3个月涨幅超200%，需结合业绩增速评估投资价值。
科创芯片ETF指数（588920）通过布局半导体设备、材料及先进封装环节，直接受益于存储上行周期与国产化进程。其跟踪指数包含科创板硬科技企业，在AI算力基建浪潮中具备长期成长空间。而科创半导体ETF鹏华（589020）则通过高存储含量，为看好国产存储崛起的投资者提供了直接标的。两者共同构成半导体投资矩阵中的双引擎，助力投资者穿越周期、捕捉机遇。
半导体板块关联个股：拓荆科技、中微公司、华海清科、沪硅产业、安集科技、中科飞测、芯源微、盛美上海、华峰测控、天岳先进。
相关基金：
科创半导体ETF鹏华（589020）、科创芯片ETF指数（588920）、半导体ETF（159813）、科创AIETF鹏华（589090）
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