昨日,存储芯片巨头Micron科技宣布退出中国数据中心服务器芯片业务,这一决策在半导体行业掀起巨浪。作为全球DRAM三巨头之一,Micron在数据中心DRAM领域占据绝对技术优势——其高价值HBM(高带宽内存)产品利润率极高,2025财年第四季度云存储业务营收达45.43亿美元,同比增长213.5%。然而,这家占全球DRAM市场份额超30%的企业选择主动收缩中国数据中心市场,背后折全球半导体产业链重构的深层逻辑。
Micron退出中国数据中心业务事出有因。从其财报可见,上一财年中国大陆收入34亿美元,占全球收入12%,但主要集中于汽车、智能手机领域。数据中心作为半导体“皇冠上的明珠”,对DRAM性能要求极为严苛——单台AI服务器需搭载海量DRAM确保数据处理速度,其成本甚至超过NAND Flash组件。Micron此次退出,直接暴露出中国在高端DRAM领域存在的结构性短板。
上证科创板半导体材料设备主题指数行业分布图:
(数据来源:iFinD,截止时间2025年10月21日)
国证半导体芯片指数行业分布图:
(数据来源:iFinD,截止时间2025年10月21日)
Micron事件背后,是半导体行业技术路线演进与地缘政治博弈的双重驱动。HBM作为AI算力核心载体,已成为英某达、AMD等巨头GPU的标配组件。Micron在HBM领域的专利壁垒,与其在数据中心市场的战略收缩形成微妙呼应——通过主动退出非核心市场,集中资源巩固HBM技术优势。这种策略调整,恰恰印证了中国半导体产业必须走自主可控道路的紧迫性。
科创芯片ETF(588920)的投资逻辑,正建立在对这一趋势的精准把握之上。其成分股中,澜起科技在内存接口芯片领域实现全球领先,中微公司设备已进入晶圆巨头5n米产线。这些企业不仅在技术维度形成突破,更在商业层面完成从“进口替代”到“全球竞争”的跃升。
值得关注的是,科创芯片ETF(588920)的底层资产具备独特的“科创属性”。科创板半导体企业普遍采用“研发-产能-市场”三步走战略:通过持续高强度研发投入突破技术瓶颈,快速扩产形成规模效应,最终通过终端市场验证实现价值兑现。这种模式在存储芯片领域尤为典型——长江存储的Xtacking技术、长鑫存储的17n米DRAM工艺,均已完成从实验室到量产线的跨越。
当前,科创芯片ETF(588920)不仅是对冲外部风险的工具,更是分享中国半导体产业升级红利的载体。Micron的战略收缩,恰恰为中国企业腾出市场空间;而科创板半导体企业的技术突破,正在将这种空间转化为真实的增长动能。对于投资者而言,选择这样一支深度绑定半导体自主可控核心赛道的ETF,既是对产业趋势的理性判断,也是对技术变革的长期押注。
半导体板块关联个股:中芯国际、海光信息、寒武纪-U 、北方华创、韦尔股份、中微公司、澜起科技、兆易创新、长电科技、紫光国微。
(数据来源:iFinD,截止时间2025年10月21日;文中个股仅作示例,不构成实际投资建议。基金有风险,投资须谨慎。)
相关基金:
科创芯片ETF指数(588920)、科创半导体ETF鹏华(589020)、半导体ETF(159813)
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