消息面上，TrendForce集邦咨询5月26日表示，在AI需求刺激企业级固态硬盘需求显著增长的背景下，预计2025年第三季度NAND闪存价格有望环比整涨10%。历史上，历次存储涨价都引起新一轮半导体投资热潮。

一、存储涨价：半导体产业周期的风向标

存储芯片作为半导体行业的晴雨表，其价格波动往往领先整体市场3-6个月。历史数据显示，每当存储市场进入涨价周期，半导体行业均迎来显著增长。例如，2016-2018年全球NAND Flash价格累计涨幅超200%，直接推动国政半导体芯片指数年化收益率突破45%；2020-2021年DRAM合约价单季涨幅超30%，带动半导体ETF规模增长超3倍。

存储涨价的逻辑在于供需失衡与技术迭代的双重驱动：

供给端：全球五大NAND Flash原厂通过减产10%-15%调控库存，行业库存周期从26周缩短至12周，NAND Flash现货价格已连续3个月上涨，3D NAND Wafers价格环比涨幅达15%。

需求端：AI服务器单机存储需求从8TB跃升至32TB，某某达GB200等高阶服务器出货推动企业级SSD订单激增；消费电子领域，AI手机DRAM配置提升至16GB，折叠屏手机出货量同比增长超50%，带动NAND Flash单机搭载量提升20%。

二、半导体ETF（159813）：精准捕捉存储涨价红利

作为紧密跟踪国证芯片指数的ETF产品，半导体ETF（159813）通过全产业链布局和龙头集中策略，成为投资者参与存储涨价周期的核心工具。

1、历史表现：存储涨价周期中的超额收益

2020-2021年周期：存储价格单季涨幅超30%，半导体ETF年化收益率达58%，跑赢沪深300指数42个百分点。

2023-2024年复苏期：存储价格企稳后，ETF持仓的澜起科技DDR5接口芯片收入同比增长80%，韦尔股份CMOS图像传感器毛利率回升至45%。

2025年当前周期：Q2存储合约价回升3%-8%，ETF近3个月净流入资金超10亿元，场外联接基金规模增长30%。

2、技术驱动：存储涨价与AI算力共振

HBM（高带宽存储）：HBM3E带宽达819GB/s，成本占AI服务器总成本的25%。

3D NAND堆叠：200层以上NAND Flash良率突破90%，单片晶圆产出量提升40%，推动其Q2毛利率回升至38%。

国产技术突破：长江Xtacking 3.0技术使NAND Flash读写速度提升50%，兆易SLC NAND Flash出货量跻身全球前三。

三、投资逻辑：三大维度支撑半导体ETF（159813）配置价值

周期底部确认：TrendForce预测Q3 NAND Flash价格环比涨10%，DRAM价格或延续涨势，行业库存周期已进入主动补库阶段。

政策与资本加持：2025年并购六条推动海光吸收合并曙光，构建芯片+整机+算力服务全链条，半导体ETF持仓的华创、中微等设备厂商订单同比增长超60%。

估值修复空间：国证芯片指数PE（TTM）为96.83倍，预测PEG 1.37，而半导体ETF持仓的寒武纪、海光等AI芯片企业2025年营收增速预期超80%。

存储涨价潮的背后，是AI算力需求爆发与半导体周期上行的共振。半导体ETF（159813）以其全产业链布局、龙头集中优势和政策技术双重驱动，成为投资者布局存储涨价周期的核心工具。在行业拐点已现的当下，把握半导体ETF（159813）的配置机遇，或将是2025年科技投资的关键一环。

（数据来源：iFinD，截止时间5月28日 注：个股仅作示例，不构成投资建议）

半导体板块关联个股：中芯国际、海光信息、寒武纪-U 、北方华创、韦尔股份、中微公司、澜起科技、兆易创新、长电科技、紫光国微。

（文中个股仅作示例，不构成实际投资建议。基金有风险，投资须谨慎。）

相关基金：

$半导体ETF(SZ159813)$、  $大数据ETF(SZ159739)$

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