消息面上，10月30日，长鑫科技在第三季度业绩交流会中透露，在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此前长鑫曾在学术论坛上介绍4F²架构进展，此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F²架构。按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，在客户端完成验证后可进入规模量产阶段。

　　天风证券认为，AI基础设施持续扩张叠加HBM代际升级，或推动HBM、服务器DRAM及企业级SSD需求同步增长，存储供需偏紧有望延续，并带动存储制造、先进封装及测试设备需求提升。

　　截至2026年11月2日 14:02，半导体ETF鹏华(159813)上涨3.37%，成分股沪硅产业上涨11.45%，华大九天上涨9.85%。

　　半导体ETF鹏华(159813)紧密跟踪国证半导体芯片指数，为反映沪深北交易所芯片产业相关上市公司的市场表现，丰富指数化投资工具，编制国证半导体芯片指数。

　　数据显示，截至2026年10月30日，国证半导体芯片指数(980017)前十大权重股分别为寒武纪、北方华创、中芯国际、澜起科技、兆易创新、海光信息、中微公司、长川科技、拓荆科技、长电科技，前十大权重股合计占比67.92%。

　　半导体ETF鹏华(159813)，场外联接(A：012969；C：012970；I：022863)。