存储“狂欢”进入下半场?DRAM、NAND价格续创新高 但涨势有所放缓
来源:财联社
受人工智能基础设施需求扩张推动,今年8月,全球DRAM与NAND闪存平均价格再度创下历史新高。不过,相较于7月,8月的存储芯片涨价幅度有所收窄:DRAM环比涨幅为4.2%,NAND闪存环比涨幅为1.4%。
市场调研机构集邦咨询(DRAMeXchange)本周二(9月1日)发布的数据显示,8月标准PC DRAM(DDR4 8Gb 1Gx8)平均合约价为25美元,较上月24美元上涨4.2%。对比该机构2016年6月开启统计时的2.90美元,涨幅已超七倍。
回望过去一年多DDR4的价格趋势:自去年4月至今年2月,DDR4均价连续11个月实现两位数涨幅。但在3月DDR4价格环比持平,之后除5月涨幅为5%外,4月、6月和7月再度录得两位数上涨,直至8月涨价节奏再次放缓。
在8月价格数据出炉后,集邦咨询将第三季度PC DRAM合约价环比涨幅预期由此前的15-20%上调至18-23%。其指出,“绝大多数供应商与PC原始设备制造商(OEM)已于8月完成第三季度合约价谈判”,同时表示“第三季度涨价幅度相较于第二季度的暴涨(45-50%)已经回落”。
8月用于存储卡与U盘的标准NAND产品(128Gb 16Gx8 MLC)平均合约价为30.50美元,较上月30.10美元仅上涨1.4%,实现连续20个月价格上行。
单阶存储单元(SLC)8月平均销售价格涨幅从7月的34-51%收窄至16-28%;多层存储单元(MLC)环比涨幅仅为1.4-1.5%。
集邦咨询判断:“SLC价格在第三季度后大概率延续上涨,但涨幅或将持续缩小”,并预测:“由于成本压力愈发挤压终端利润,买方后续采购意愿减弱,MLC的上涨态势将进一步降温。”
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