截至2026年8月14日收盘，科创芯片设计ETF天弘(589070)跟踪的上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨1.15%，成分股联芸科技上涨11.26%，普冉股份上涨7.20%，杰华特上涨5.33%，纳芯微，思瑞浦等个股跟涨。

　　截至8月14日，科创芯片设计ETF天弘(589070)近1周规模增长2824.01万元，近3月份额增长14.46亿份，实现显著增长。

　　资金流入方面，科创芯片设计ETF天弘(589070)近5个交易日合计“吸金”4130.17万元。

　　【产品亮点】

　　科创芯片设计ETF天弘(589070)精准聚焦于上证科创板芯片设计主题指数，专门投资于科创板中技术壁垒最高、创新属性最强的芯片设计公司。其权重股均为科创板硬核科技代表，包括：澜起科技（内存接口芯片全球龙头）、海光信息、寒武纪、芯原股份（芯片设计平台龙头）、佰维存储（存储芯片设计）等。

　　【相关产品】

　　科创芯片设计ETF天弘(589070)，对应场外联接(A：027574；C：027575)。

　　【热点事件】

　　AI需求引爆存储“资源争夺战”，SK海力士拟合资建厂降低扩张风险

　　在全球存储芯片供应持续紧张的背景下，SK海力士正积极谋划产能扩张新路径。SK集团会长崔泰源近日表示，公司正考虑以合资方式建设新的存储芯片工厂，以降低在行业盛衰周期下巨额资本开支和产能过剩带来的风险。崔泰源同时警告称，存储芯片供应紧张局面将在2027年进一步加剧。

　　这一考虑的背景是AI需求爆发引发的存储芯片“资源争夺战”——崔泰源透露，目前所有客户都要求将明年采购量几乎翻倍，但供给完全跟不上需求。为满足激增的AI存储需求，SK海力士正全力扩产，计划在5年内将产能翻倍，并推进全球规模最大的存储器工厂建设，斥资7200亿美元力争在2034年将产能提高3倍。

　　在具体落地上，公司近期已重启停滞四年的大连NAND闪存工厂二期建设，将当地产能扩大约50%，计划明年上半年投产；同时在韩国本土推进龙仁和清州两大新晶圆厂建设。

　　【机构观点】

　　存储与逻辑双轮驱动下，全球晶圆厂资本开支持续加码。招商证券指出，2026年全球半导体制造设备支出预计达1659亿美元，同比增长23.2%，其中DRAM与NAND设备投资分别增长29%与28%；三星、美光、SK海力士等原厂大幅上调资本开支，重点投向HBM、DDR5及高层数NAND产能建设；逻辑端方面，台积电将约70%-80%资本开支用于先进制程，中芯国际、华虹等亦持续推进产能爬坡，国内先进及成熟制程扩产趋势明确，设备材料环节有望迎来规模化放量。

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