3月4日，三大指数集体下跌，芯片板块逆市飘红。上证科创板芯片设计主题指数(950162.SH)上涨0.13%，该指数成分股中，佰维存储涨停，普冉股份上涨超6%，成都华微上涨近2%，东芯股份、澜起科技与中微半导上涨超1%。

　　相关ETF方面，据Wind数据，科创芯片设计ETF天弘（589070）盘中成交额为3161.63万元，实时溢折率为0.52%，换手率超3%。资金流向方面，该ETF上个交易日(3月3日)净流入额为7165.95万元。该ETF最新流通份额为6.45亿份，最新流通规模为5.91亿元。

　　科创芯片设计ETF天弘（589070）具备20%的涨跌幅空间。该产品紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，指数聚焦于芯片设计核心环节，相关行业含量接近95%，行业集中度较高、“含芯量”突出，其成分股涵盖50家科创板芯片领域龙头企业。

　　消息面上，据媒体消息，半导体高景气周期延续，存储与模拟芯片赛道现涨价潮。3月3日晚间，佰维存储披露2026年1-2月经营数据，业绩实现爆发式增长。受AI服务器算力需求拉动与产能周期调整影响，存储芯片价格自2025年下半年以来持续走高并创2016年以来新高，其中DRAM与NAND闪存涨幅尤为显著。此外，模拟芯片、功率半导体等产业环节亦传来涨价信号，多家芯片设计企业近期密集发布产品涨价函，调价幅度普遍在10%至20%之间，个别高达50%。

　　东海证券指出，当前电子行业需求持续复苏，供给有效出清，存储芯片价格上涨，国产化力度超预期。全球存储器产业已转向卖方市场，2026年价格涨势预计贯穿全年，DRAM与NAND供应紧张。同时，功率半导体厂商也陆续宣布涨价。行业关注AI算力、半导体设备、关键零部件和存储涨价等结构性机会。