存储芯片涨价超300%!科创芯片设计ETF天弘(589070)交投活跃,盘中频现溢价交易
来源:每日经济新闻
盘面上,两市低开后走势分化,呈现沪强深弱的格局,芯片设计概念下跌。相关ETF方面,科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数盘中跌3.93%,成交额达5296.96万元,盘中频现溢价交易。成分股中,臻镭科技、聚辰股份、澜起科技、龙芯中科、佰维存储跌超5%,泰凌微、龙迅股份、成都华微等多股跟跌。
值得关注的是,Wind显示,科创芯片设计ETF天弘(589070)近2个交易日(2026年02月02日—2026年02月03日)实现连续“吸金”,科创芯片设计ETF天弘(589070)最近五个交易日累计获资金净流入1.20亿元。截至2026年02月03日,该基金最新规模为6.41亿元。
科创芯片设计ETF天弘(589070)跟踪上证科创板芯片设计主题指数,该指数覆盖芯片设计、制造、封测、设备等产业链各环节,反映半导体产业整体发展趋势,数字芯片设计和模拟芯片设计为前两大权重行业,合计占比高达94.1%。
消息面上,据TrendForce集邦咨询数据显示,存储芯片价格大幅攀升,DRAM与NAND闪存现货价累计涨幅超300%,带动行业景气度走高。同时,据中信证券研究及第一财经报道,涨价潮已蔓延至封测、晶圆代工及MCU等环节,多家芯片设计公司发布涨价函。此外,据界面新闻,国内技术研发取得突破,清华大学团队成功研发出柔性数字存内计算芯片,增强产业自主信心。政策方面,上海市最新政府工作报告提出推进临港科创城建设,强化产业支持。
国信证券指出,芯片主题ETF持续获得大额资金净流入,显示市场对半导体产业链的长期信心,尤其是科创芯片规模已突破680亿元,资金动向表明该领域仍是资金重点布局的方向。
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