预计2026年DRAM与闪存价格将大幅上涨!科创芯片设计ETF天弘标的指数盘中冲高涨超2%,频现溢价交易
来源:东方财富证券
A股早盘呈现沪强深弱的走势,成交量小幅放大。科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数早盘一度冲高涨逾2%,现跌1.03%,成交额达7909.82万元,盘中频现溢价交易。成份股中,新相微、东芯股份、芯原股份涨超5%,澜起科技、中微半导、康希通信等多股跟涨,灿芯股份、成都华微、峰岹科技、芯海科技、思瑞浦则跌超5%。
科创芯片设计ETF天弘(589070)具备20%涨跌幅的弹性,其跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业,芯片设计行业占比高达96.1%,“含芯量”满满,瞄准半导体高景气度细分赛道,成长空间可期。
消息面上,本轮科创芯片板块的强势表现主要受三重因素共振推动。①据网易及花旗报告,AI驱动的存储芯片超级周期已确立,预计2026年DRAM与闪存价格将大幅上涨,直接提振全产业链盈利预期。②今日头条指出,AI服务器对高端存储芯片需求激增,而三星、SK海力士等大厂持续控产,导致供需结构性紧张。③同花顺财经报道显示,涨价潮已从存储蔓延至封测、CPU等环节,同时国产替代进程在政策与技术双支撑下加速,为行业注入持续成长动力。
中银国际认为,当前中国半导体芯片行业市值仅为美国的十分之一,但正处于追赶关键期。在政策持续赋能、下游市场需求爆发及技术不断突破的推动下,行业有望复制其他成功赛道的增长路径,未来具备巨大的市值增长潜力,但需注意行业内部竞争激烈,龙头地位并非一成不变。
中泰证券指出,随着市场对科技产业的高预期逐步被验证,资本环境对科技创新更为友好。2026年长线资金的入市将为科技板块提供重要支撑,主题投资或反复活跃,科技领域的预期博弈与价值发现过程将成为市场长期焦点。
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