对于当下这波存储芯片涨价周期，机构暂未看到势头减弱的迹象，“传统产品”的价格也迎来“翻身”。

　　近日，华尔街知名投行摩根士丹利（Morgan Stanley）发布研报指出，传统存储芯片的供需缺口正在持续扩大，从2025年第二季度至2026年，行业正在迎来新一波超级周期，DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND等内存产品供应紧张态势加剧，市场暂无悲观理由。

　　报告指出，由于先进制程存储产品（如DDR5、HBM）产能需求强劲，成熟制程产能分配受到挤压。2026年1月，头部企业对DDR4芯片的采购表现积极，受供应限制，其一季度价格涨幅可能达50%，涨势将延续至二季度；而随着产能向DDR4转移，也将导致高密度DDR3芯片严重短缺，带动相关供应商业绩增长。

　　闪存芯片方面，摩根士丹利预计NOR Flash的报价在2026年一季度上涨20%至30%，涨价趋势或延续至2026年下半年；而随着常规NAND Flash供应大幅缩减，其细分类别MLC与SLC NAND一季度价格涨幅将超50%，采用先进制程工艺的高密度SLC NAND价格涨势也将在同期跟进。

　　基于相似的理由，摩根大通分析团队在最新报告中维持了对内存巨头SK海力士的“增持”评级，并将2026年12月的目标价从此前的80万韩元上调至100万韩元。分析师指出，AI（人工智能）内存需求的长期增长趋势未变，再加上潜在的美股上市计划，将成为推动SK海力士股价上涨的双重催化剂；未来3至6个月内，强劲的定价动能将推动公司的盈利预期上调，预计2026至2027财年的每股收益（EPS）将有20%至25%的向上修正空间。

　　此前，已有多家机构预计，随着AI数据中心的高端存储产品需求持续挤压市场，预计存储芯片价格将在2026年继续走高。

　　市场研究机构Counterpoint在今年1月的报告中指出，内存市场已经进入“超级牛市”阶段：“当前的状况超过了2018年的历史高峰，供应商的影响力达到历史新高，这主要源于对AI和服务器容量的无尽需求。预计内存价格在2025年第四季度激增40%至50%，还将在2026年第一季度上涨40%至50%，在第二季度上涨20%左右。”

　　Counterpoint认为，虽然相关厂商在增加资本投入，但产能增长存在显著的时间延迟，导致严重的供需失衡。预计2026年DRAM存储器产量将同比增长24%，不过，仍需要一段时间来满足需求。

　　市场研究机构IDC也在去年12月的报告中表示，2025年底，全球半导体生态系统经历了前所未有的内存芯片短缺，这一连锁反应可能持续到2027年。IDC预计，2026年DRAM和NAND的供应增长率将低于历史平均水平，同比分别为16%和17%。

　　IDC的分析师团队写道：“这并非只是供需错配引发的周期性短缺，而可能是全球硅晶圆产能一次潜在的、永久性的战略再分配。数十年来，用于智能手机和个人电脑的DRAM与NAND闪存一直是存储产能的主要驱动力。如今，这一动态已经逆转。微软、谷歌、Meta和亚马逊等超大规模服务商对HBM的贪婪需求，已迫使三大内存制造商（三星电子、SK海力士和美光科技）将有限的净室空间和资本支出转向利润率更高的企业级组件。这是一场零和博弈。”