今日（1.7），受海外存储芯片大涨消息影响，A股芯片板块再度猛攻，存储和半导体设备材料股纷纷暴涨！全市场费率最低档的芯片50ETF（516920）涨超2%，盘中成交额已超4600万元！

　　开年至今，存储芯片板块迎来全球共振式大涨，美股领涨、A股跟涨的传导逻辑清晰，供需逆转叠加AI算力需求爆发，推动板块成为开年最强主线之一。

　　截至1月6日美股收盘，存储龙头全线走强，美光科技涨超10%再破历史新高，西部数据涨超16%，创逾五年来最大单日涨幅。记忆卡制造商SanDisk（闪迪）股价一度飙升28.43%报352美元，同样创历史新高。

　　业内指出，核心催化源于英伟达CEO黄仁勋在CES展披露新一代AI处理器将引入新存储技术，直接拉动存储与硬盘产业链情绪，叠加三星、SK海力士减产+高端产能倾斜，推动供需格局持续优化。价格端利好密集释放，三星、SK海力士计划2026年一季度将服务器DRAM价格较2025年四季度提升60%-70%，PC与手机端DRAM同步提价，行业进入“量价齐升”通道。

　　1月7日，A股市场存储芯片股持续强势，芯片50ETF（516920）标的指数热门股多数飘红：中微公司涨超7%，北方华创涨超6%，兆易创新、江波龙涨超4%，澜起科技、北京君正涨超1%。

　　本届CES展上，芯片与存储产业链亮点纷呈，英伟达正式推出整合六款全新芯片的Rubin AI平台，其HBM4内存带宽较前代提升2.8倍，单GPU NVLink互连带宽翻倍；SK海力士首次亮相16层48GB HBM4产品，同步展出适配AI服务器的低功耗内存模组SOCAMM2及LPDDR6通用存储器，通过定制化HBM架构等创新技术，针对性解决AI场景下的数据传输瓶颈。AMD与英特尔也同步发力，AMD推出性能提升10倍的MI455XAI芯片，英特尔发布首款18A工艺酷睿Ultra3系列处理器，均强化了对高带宽、大容量存储的配套需求，进一步印证存储行业高景气度。

　　据TrendForce研究报告预测，随着服务器需求吸收产品供应，NAND快闪记忆芯片合约价格在3月的季度将上涨33%-38%，传统DRAM合约价格预计将攀升55%-60%，记忆芯片市场今年将有强劲的增长动力。

　　中银证券认为，伴随AI驱动DRAM需求提振及国产DRAM厂商进展融资进程提速，国内DRAM全产业链有望实现加速成长。

　　财通证券指出，AI需求带动存储器芯片需求，对DRAM的消耗不再局限于HBM和DDR5，还正拓展至LPDDR和图形DRAM领域。2025年下半年，LPDDR的整体价格涨幅超50%。中国存储产业的双引擎长江存储和长鑫存储奋力破局，另一方面，国内上市公司也积极推进国产设备研发。

　　芯片50ETF（516920）跟踪中证芯片产业指数，截至1月6日，前十大成分股合计占比达57.21%！此外，芯片50ETF（516920）的管理费率为0.15%，托管费率0.05%，为芯片主题ETF中费率最低档的品种！