21世纪经济报道记者彭新

　　国产DRAM（动态随机存取存储器）龙头长鑫科技IPO获受理。上海证券交易所网站于2025年12月30日披露，长鑫科技集团股份有限公司（下称“长鑫科技”）科创板IPO上市申请已经获得受理，将发行不超过106.22亿新股，拟募集资金295亿元，保荐机构为中金公司和中信建投证券，意味着这家中国最大的DRAM设计制造企业距离上市走出关键一步。

　　值得注意的是，长鑫科技IPO是科创板首单获受理的“预先审阅”项目。在招股书获受理的同日，上交所同步披露了两轮预先审阅问询与回复，显示监管层已先后于2025年11月5日及11月19日发出问询。

　　2025年6月18日，证监会发布《关于在科创板设置科创成长层增强制度包容性适应性的意见》，首次明确提出试点IPO预先审阅机制。该制度可保护信息与技术安全，满足关键核心技术攻关企业诉求，减少上市“曝光”时间，避免过早披露敏感信息引发经营与竞争风险 。正式申报时同步披露预审问询回复，压缩审核周期，提高申报文件质量 。

　　科创板第二大IPO

　　从募资规模来看，长鑫存储IPO有望成为科创板开板以来募资规模第二大的IPO，仅次于2020年上市的中芯国际募资532.3亿元。此次募资，130亿元将用于长鑫存储二期晶圆制造项目，90亿元将用于下一代DRAM前瞻技术研究与开发项目，75亿元将用存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目。

　　不同于摩尔线程、沐曦等芯片设计公司（Fabless）的轻资产模式，长鑫科技是一家采用IDM（垂直整合制造）模式的半导体存储企业，集芯片设计、制造、封装测试及产品销售于一体。公司成立于2016年6月，总部位于安徽合肥。创始人朱一明亦是国内存储芯片上市公司兆易创新（603986.SH）的创始人。

　　招股书显示，长鑫科技目前无控股股东和实际控制人。截至招股书签署日，公司第一大股东清辉集电持股21.67%，第二大股东长鑫集成持股11.71%，其他持股5%以上的股东还包括国家集成电路产业投资基金二期（大基金二期）、合肥集鑫及安徽省投，分别持股8.73%、8.37%及7.91%。此外，阿里、腾讯、招银国际、人保资本、建信金融、国调基金、君联资本、小米产投等均位列其股东行列。公司的股权结构较为分散，且前十大股东中多为国资背景或产业基金，不存在单一持股比例超过50%的股东。

　　从产品进展来看，长鑫科技在成立后的九年间采取“跳代研发”策略，连续推出了四代工艺技术平台。招股书披露，目前公司已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代。其中，长鑫科技发布的LPDDR5X产品最高速率达到10667Mbps，较上一代提升66%；首款国产DDR5产品速率高达8000Mbps。这些产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑及智能汽车等领域。

　　A股市场存储芯片第一股

　　根据Omdia数据统计，按2024年产能和出货量计算，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。2025年第二季度，长鑫科技的全球市场份额增至3.97%。尽管如此，长鑫科技与全球前三大存储芯片巨头——三星电子、SK海力士和美光科技相比仍有差距。数据显示，2024年三星电子、SK海力士、美光科技的市场占有率分别为40.35%、33.19%和20.73%，三家合计占据了全球90%以上的市场份额。

　　据招股书，长鑫科技在合肥、北京两地共有3座12英寸DRAM晶圆厂。产能方面，报告期内，整体产能和产量快速增长，产能利用率稳步提升，各期产能利用率分别为85.45%、87.06%、92.46%和94.63%。产销量方面，公司主要DRAM产品包括DDR系列及LPDDR系列产品，报告期内，公司主要DRAM产品的产量和销量实现快速增长，按容量口径统计的产销率分别为98.29%、99.45%、97.94%和89.30%。

　　随着产能释放和市场拓展，长鑫科技的营收呈现爆发式增长。2022年至2024年，公司营业收入分别为82.87亿元、90.87亿元和241.78亿元，年均复合增长率高达70.81%。2025年1-9月，长鑫科技营收进一步增至320.84亿元，同比增长97.79%。

　　凭借近300亿元的募集资金规模以及在DRAM领域的龙头地位，长鑫科技若成功登陆科创板 ，将有望成为A股市场的存储芯片第一股。

　　高额研发投入是长鑫科技保持技术和市场追赶的核心动力。2022年至2024年，长鑫科技研发投入分别为41.95亿元、46.70亿元和63.41亿元，三年累计研发投入达152.07亿元，占三年累计营业收入的比例为36.60%。截至2025年6月30日，公司拥有研发人员4653人，占员工总数的比例超过30%。

　　然而，受DRAM行业高强度的重资产投入及行业周期下行影响，长鑫科技在报告期内尚未实现盈利。2022年至2024年，公司归属于母公司所有者的净亏损分别为83.28亿元、163.40亿元和71.45亿元。尤其在2023年，受行业深度下行周期影响，DRAM产品价格大幅下滑，导致公司存货跌价损失计提增加，亏损幅度扩大。

　　不过，这一局面正在好转。招股书披露的2025年全年业绩预计显示，受益于DRAM市场回暖、产品价格上涨及产能规模提升，长鑫科技2025年1-9月营收达320.84亿元，同比增长97.79%，预计2025年度实现营业收入550亿元至580亿元，同比增长127.48%至139.89%；预计净利润将实现扭亏为盈，达到20亿元至35亿元。这标志着这家国产存储巨头即将跨越盈亏平衡点，进入盈利阶段。

　　关于市场关注的盈利时间表，长鑫科技预计将在2026年或2027年迎来扭亏为盈拐点。其中，2026年能否率先实现盈利，将直接取决于未来的量价表现。长鑫科技测算显示，在谨慎性预测下，若产品均价能维持在略低于2025年9月的水平且出货量随产能顺利爬坡，公司有望在2026年当年实现盈利；反之，若平均单价或出货量不及预期，盈利节点或将推后。不过，当前的市场信号已十分积极：随着DRAM行业回暖，长鑫科技盈利能力显著修复，2025年第三季度主营业务毛利率已突破30%，较2023年的-1.93%实现了大幅改善，为后续业绩释放奠定了基础。

　　国产存储迎来关键窗口期

　　长鑫科技在招股书中将国际贸易摩擦列为主要风险之一。DRAM行业对先进设备和材料的依赖度极高。近年来，美国政府不断升级对华半导体出口管制，限制中国企业获取制造18纳米及以下制程DRAM所需的设备。招股书称，若短期内相关国家进一步加强限制政策，可能导致公司面临产业链不稳定的风险。为应对这一挑战，长鑫科技表示将通过募投项目的实施，开展本土及新型设备、材料、零部件的验证开发，推动供应链的本土化和多元化，增强抗风险能力。

　　针对供应链安全问题，长鑫科技在问询回复中透露，报告期内持续推动原材料及设备的多元化验证，相关供应商的采购金额及占比整体显著提升。面对国际贸易摩擦加剧的外部环境，长鑫科技表示，将利用募投项目进一步加速本土及新型设备、材料的验证开发，以构筑更具韧性的供应链体系。

　　目前，全球DRAM市场正处于从传统DDR4向DDR5及HBM（高带宽内存）转型关键时期。招股书显示，本次IPO募集的资金将重点用于先进制程的升级和产能建设。其中，“DRAM存储器技术升级项目”通过技术改造，将公司工艺技术平台提升至更新一代，以生产更高性能、更低功耗的DRAM产品，从而在与国际巨头的竞争中争取更有利地位。

　　相比于逻辑芯片，存储芯片具有标准化程度高、周期性强特点。在当前AI大模型爆发的背景下，尽管长鑫科技在HBM等高端存储领域尚未在招股书中披露相关信息，但其DRAM产品已切入主流市场。业界普遍认为，随着国产化替代进程的加速和AI算力需求增长，国产存储厂商将在未来数年内迎来关键市场窗口期。