截至10点31分，上证科创板半导体材料设备主题指数下跌0.79%。成分股涨跌互现，天岳先进领涨2.92%，和林微纳上涨2.55%，拓荆科技上涨1.63%；先锋精科领跌4.42%，安集科技下跌3.92%，富创精密下跌3.22%。科创半导体ETF（588170）下跌0.85%，最新报价1.41元。

　　流动性方面，科创半导体ETF（588170）盘中换手5.46%，成交1.80亿元。拉长时间看，截至12月11日，科创半导体ETF（588170）近1周日均成交4.16亿元，领先同类。

　　规模方面，科创半导体ETF（588170）近3月规模增长27.22亿元，实现显著增长。

　　瑞银预计，DRAM（动态随机存取存储器）供应短缺预计将持续至2027年第一季度，其中DDR内存的需求料增长20.7%，远超供应增速。NAND闪存的短缺态势则预计将持续至2026年第三季度。这一短缺局面引发了近30年来最猛烈的一轮价格上涨周期。瑞银预计，今年第四季度，DDR 合约定价环比上涨35%，NAND闪存价格上涨 20%，涨幅均超出此前预期。2026年第一季度，DDR合约定价将进一步上涨30%，NAND价格上涨20%。

　　中泰证券指出，存储芯片为AI时代战略关键环节，既有明确政策支持，又具备持续产业需求，是科技板块中期核心关注的细分赛道。随着AI产业爆发，存储芯片需求大幅增长，价格出现明显上涨趋势。