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发表于 2025-10-17 21:13:10 股吧网页版
湾芯展圆满落幕 半导体产业正出现六大趋势
来源:21世纪经济报道

  先进制程竞赛、先进封装崛起、异质集成融合——半导体产业正迎来技术爆发的临界点。

  10月15日—17日,2025湾区半导体产业生态博览会(湾芯展)于在深圳举办,吸引超600家国内外企业参展,展示涵盖半导体全产业链的前沿技术。

  2025年,全球半导体产业站在了一个新的转折点上。经过2024年的蓄势与回暖,业界对今年市场表现呈现乐观预期。世界半导体贸易统计组织(WSTS)预测,2025年全球半导体销售额预计将达到6972亿美元,同比增长11.2%。

  在人工智能、汽车电子等需求的共同驱动下,半导体技术正以前所未有的速度迭代创新,呈现出六大鲜明的发展趋势。

  一、2nm及以下工艺量产

  2025年是先进制程代工厂交付2nm及以下工艺的关键时间点。根据公开消息,台积电2nm工艺预计本季度后期量产。三星计划今年量产2nm制程SF2,并将在2025-2027年陆续推出不同版本,分别面向移动、高性能计算及AI和汽车领域。

  英特尔则加速推进其Intel 18A(1.8nm)工艺,Panther Lake是首个采用英特尔的Intel 18A工艺制造的消费级产品平台,该处理器预计将于今年开始量产爬坡,首批芯片将在2025年底前出货,并将于2026年1月起全面上市。

  这一转变意味着,当制程微缩至2nm以下时,传统FinFET晶体管架构已接近物理极限,全环绕栅极晶体管成为持续提升芯片性能和能效的必然选择。

  二、HBM4内存提速,AI驱动存储技术革新

  在高性能计算和AI服务器需求的强劲驱动下,HBM(高带宽内存)的迭代和制造已进入竞速模式。

  截至目前,SK海力士已建成HBM4量产体系,预计将占据HBM4市场60%以上份额,三星、美光等厂商也在加紧筹备HBM4量产,力争抢占英伟达、AMD认证先机,而国内相关厂商也在加速突破,国产替代窗口期持续扩大。

  根据JEDEC 固态技术协会发布的 HBM4 初步规范,HBM4 提高了单个堆栈内的层数,从HBM3的最多12层增加到了最多16层,将支持每个堆栈2048位接口,数据传输速率达到6.4GT/s。

  三、先进封装产能扩张

  随着摩尔定律逼近物理极限,先进封装技术正成为提升芯片性能的关键路径。今年,台积电、长电科技、通富微电等厂商纷纷扩大CoWoS、FCBGA等先进封装产能。

  另一方面,Chiplet(芯粒)技术通过将复杂芯片分解为更小的模块,利用先进封装集成,实现了降本增效,成为汽车高性能SoC开发的新突破口。

  先进封装的崛起标志着半导体行业从“制程竞赛”转向立体集成的创新模式,为不同工艺节点的芯片组合提供了可能性。

  四、AI芯片场景从云端训练转向边缘推理

  自2025年起,市场对AI推理算力的需求激增,头部大厂的采购趋势已从过去单一投资训练算力,转向训练与推理并行的策略。

  近期,OpenAI向AMD,承诺购买可支持6GW算力的Instinct系列芯片,并计划主要用于推理。

  除此之外,博通采用(专用集成电路)ASIC方案,与OpenAI共同开发AI定制芯片。华泰证券预计,ASIC在AI推理领域的市场份额将从2023年的5%飙升至2028年的25%,OpenAI此举正是踩准这一技术趋势。

  云天励飞董事长陈宁表示,2025年AI正从学习训练阶段全面转向应用推理时代。未来5年到10年,将是AI训练和AI推理并重的时代。他认为,在AI引发的第四次工业革命中,AI训练芯片相当于第二次工业革命中的发电机,而AI推理芯片则是将电能转化为实际应用的灯泡、家用电器和电动机,是推动产业化革命的关键。

  五、高阶智驾芯片上车

  2025年被诸多车规芯片厂商视为高阶智驾的决赛点和量产上车的窗口期。今年4月,蔚来5纳米智驾芯片神玑NX9031量产装车,首发搭载蔚来ET9,并推送至新款ET5、ES6、EC6等多款车型。

  另一方面,小鹏的图灵芯片同样成功量产,单颗算力超过700TOPS,分别在新P7和G7量产装车,可同时应用于AI汽车、AI机器人和飞行汽车。

  地平线征程6系列同样宣布量产,算力达到560TOPS,全球首搭车型为奇瑞星途ET5。此外,比亚迪、吉利、奇瑞等品牌的多款系统也基于征程6芯片打造。

  这一趋势表明,L2+至L4级自动驾驶技术正从研发验证走向规模化商用,智能汽车对算力的需求更加急切。

  六、碳化硅进入8英寸时代

  碳化硅产业在2025年正式进入从6英寸向8英寸的产能转换阶段。意法半导体、芯联集成、罗姆、安森美等厂商纷纷计划在今年实现8英寸碳化硅晶圆的量产。

  与6英寸相比,8英寸碳化硅的优势主要体现在潜在成本、性能和参数均匀性等方面。在电动汽车800V平台普及的推动下,“800V+SiC”已成为高端电动汽车的标配。

  碳化硅器件凭借其高能效、耐高温和高频特性,正成为能源革命的关键推动力。同时,氧化镓等第四代半导体材料也开始崭露头角,其禁带宽度达到4.9eV,理论损耗仅为硅的1/3000,有望在未来直接挑战碳化硅的地位。

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