A股三大指数今日涨跌不一，截止收盘，沪指涨0.10%，收报3916.23点；深证成指跌0.25%，收报13086.41点；创业板指涨0.38%，收报3037.44点。沪深两市成交额跌破2万亿，今日仅有19311亿，较昨日缩量1417亿。行业板块涨少跌多，保险、煤炭行业、航运港口、银行板块涨幅居前，小金属、贵金属、风电设备、钢铁行业、采掘行业、化肥行业跌幅居前。个股方面，上涨股票数量接近1200只，逾50只股票涨停。

　　据媒体报道，存储模组大厂威刚董事长陈立白表示，当前DRAM内存、NAND闪存、固态硬盘、机械硬盘等存储产品全面缺货，这种情况30年未见。他认为这背后是云服务供应商大规模采购的强劲需求推动，存储行业将迎来多年期牛市。针对DDR4内存市场，陈立白指出三星半导体、SK海力士、美光等三大DRAM厂商已拆除DDR4产线设备，重新生产DDR4并不划算。这意味着DDR4将进入约2年的长尾市场阶段，供应缺口远超预期。

　　近年来，随着AI技术飞速发展以及AI数据中心等基建需求大增，存储芯片需求相当旺盛。信达证券表示，AI产品增长影响存储供需两端，四季度DRAM和NAND价格预计延续增长态势。德邦证券指出，本轮存储芯片的需求更多源自大型科技公司在AI时代的算力基建，持续性可能更强。

　　信达证券：四季度DRAM和NAND价格预计延续增长态势

　　AI产品增长影响存储供需两端，四季度DRAM和NAND价格预计延续增长态势。TrendForce则预估，第四季度旧制程DRAM整体价格环比增长8%～13%，HBM价格环比增涨13%～18%；NAND Flash第四季度各类产品合约价或将全面上涨，平均涨幅预计达到5%～10%。

　　德邦证券：本轮存储芯片上行周期持续性可能更强

　　存储芯片于2024年开启新上行周期，核心受益于AI基建带来的需求增长。前两轮周期本质更多依托消费端发力，而本轮存储芯片的需求更多源自大型科技公司在AI时代的算力基建，持续性可能更强。

　　天风证券：HBM瓶颈凸显产业痛点

　　AI推理成价值核心，HBM瓶颈凸显产业痛点。当前，AI推理已成为衡量大模型商业化价值的关键标尺，为突破算力瓶颈与“存储墙”制约，“以存代算”作为一种颠覆性技术范式应运而生。该技术通过将AI推理过程中的矢量数据昂贵的DRAM和HBM显存迁移至大容量、高性价比的SSD介质，实现存储层从内存向SSD的战略扩展，而非简单替代。其核心价值在于显著降低首Token时延、提升推理吞吐量，并大幅优化端到端的推理成本，为AI大规模落地提供可行路径。

　　中信证券：2026年大容量QLCSSD有望出现爆发性增长

　　9月以来，根据Bloomberg、CFM闪存市场，NAND Flash Wafer和部分存储模组均有不同程度上涨，涨幅个位数。展望后续，Trend Force预计2025年四季度NAND Flash价格将上涨5%～10%，后续数据中心eSSD涨价幅度有望超市场预期，2026年大容量QLCSSD有望出现爆发性增长。

　　国金证券：DRAM价格或继续增长

　　根据TrendForce集邦咨询最新调查，由于三大DRAM原厂将产能转向高阶产品，并陆续宣布PC/Server用DDR4以及Mobile用LPDDR4X进入产品生命周期末期(EOL)，引发市场对旧世代产品积极备货，叠加传统旺季备货动能，将推升2025年第三季一般型DRAM(Conventional DRAM)价格季增10%至15%，若纳入HBM，整体DRAM涨幅将季增15%至20%。

（本文不构成任何投资建议，投资者据此操作，一切后果自负。市场有风险，投资需谨慎。)