小米实现3nm芯片研发设计突破!半导体材料ETF(562590)盘中持续溢价
来源:每日经济新闻
截至5月19日收盘,中证半导体材料设备主题指数上涨0.68%,成分股富创精密上涨8.08%,三佳科技上涨4.85%,华海诚科上涨4.33%,金宏气体上涨3.63%,沪硅产业上涨2.86%。半导体材料ETF(562590)上涨0.47%,最新价报1.07元。
流动性方面,半导体材料ETF盘中换手2.31%,成交738.39万元。整体来看,半导体材料ETF(562590)盘中交易活跃,持续出现溢价。份额方面,半导体材料ETF最新份额达3.00亿份,创近1月新高。
从资金净流入方面来看,半导体材料ETF近6天获得连续资金净流入,最高单日获得542.63万元净流入,合计“吸金”1732.02万元,日均净流入达288.67万元。
消息方面,今日小米集团创始人、董事长兼CEO雷军在个人社交平台发布消息,小米自主研发设计的3nm制程手机处理器芯片玄戒O1即将亮相。
2024年,中国集成电路出口额首次突破万亿元大关,从设计、制造到封装测试,我国半导体产业链各个环节都取得了显著进展,小米突破3nm先进制程设计是我国半导体产业又一个令人振奋的好消息。
半导体材料ETF(562590)及其联接基金(A/C:020356;020357)紧密跟踪中证半导体材料设备指数,指数中半导体设备(55.8%)、半导体材料(21.3%)占比靠前,合计权重超77%,充分聚焦指数主题,锚定半导体产业发展,精准锚定芯片制造相关领域,覆盖光刻胶、大硅片、刻蚀机等关键赛道,直击芯片产业国产化刚需,为投资者捕捉半导体产业升级红利。
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