公司研发费用年初至报告期末为2,070.71万元,同比增长3.9,当前研发投入主要聚焦于哪些技术领域或产品方向?
同惠电子:
尊敬的投资者,您好!公司目前的研发方向聚焦于半导体及功率器件测试领域的技术突破与产品迭代,目前在研及待推出的核心产品可分为以下几类,覆盖从半导体器件特性分析到晶圆测试的全链条需求,重点产品如下: 一、半导体器件特性测试类产品 (1)TH500系列半导体器件PIV特性测试系统,具备1500V、50A测试能力及200ns级的测试,主要应用于晶体管特性分析与建模、功率放大器测试优化、射频微波电路负载牵引测试,以及航空航天、汽车电子领域相关电子器件和电路的性能与可靠性测试; (2)TH510系列半导体器件 CV 特性分析仪,频率覆盖 1kHz 到 2MHz,电压可至0-3000V,主要用于半导体材料及功率器件的研发及分析; (3)TH520系列功率器件参数分析仪,具备3500V、1800A、10MHz的高性能参数,分辨率达1fA/100nV,脉宽10μs,可在宽泛工作条件下实现各类功率半导体器件的全参数一体化测试与评估; (4)TH570系列功率器件动态特性分析仪/双脉冲测试仪,具备1500V、250A的能力,脉宽100μs,带宽500MHz,主要重点针对分立IGBT、SiC、GaN等宽禁带半导体器件,提供高精度动态功率测试支持。 二、功率器件专项测试类产品 (1)TH530系列半导体器件雪崩能量测试仪,支持200A测试电流与2500V雪崩电压,主要用于功率MOSFET和IGBT等器件的测试,可实现雪崩前后泄漏检测、雪崩坍塌验证等关键测试项; (2)TH540系列半导体器件热阻测试仪,VDS达200V、IDS为50A,主要用于测量晶体管、二极管、MOSFET、IGBT等功率器件的热阻特性,同时可实现器件接触状态检查,保障器件散热性能评估准确性。 三、半导体晶圆测试类产品 (1)TH550系列半导体晶圆KGD测试系统,可实现静态与动态参数双维度测试,且能适配常温、高温等多环境场景,满足晶圆级KGD的测试需求; (2)TH560系列半导体晶圆老化测试系统,支持4寸、6寸、8寸晶圆,电压达2000V,主要用于评估半导体晶圆在长期工作环境下的稳定性,提前识别潜在失效风险,为下游芯片制造提供品质保障。
尊敬的投资者,您好!公司目前的研发方向聚焦于半导体及功率器件测试领域的技术突破与产品迭代,目前在研及待推出的核心产品可分为以下几类,覆盖从半导体器件特性分析到晶圆测试的全链条需求,重点产品如下: 一、半导体器件特性测试类产品 (1)TH500系列半导体器件PIV特性测试系统,具备1500V、50A测试能力及200ns级的测试,主要应用于晶体管特性分析与建模、功率放大器测试优化、射频微波电路负载牵引测试,以及航空航天、汽车电子领域相关电子器件和电路的性能与可靠性测试; (2)TH510系列半导体器件 CV 特性分析仪,频率覆盖 1kHz 到 2MHz,电压可至0-3000V,主要用于半导体材料及功率器件的研发及分析; (3)TH520系列功率器件参数分析仪,具备3500V、1800A、10MHz的高性能参数,分辨率达1fA/100nV,脉宽10μs,可在宽泛工作条件下实现各类功率半导体器件的全参数一体化测试与评估; (4)TH570系列功率器件动态特性分析仪/双脉冲测试仪,具备1500V、250A的能力,脉宽100μs,带宽500MHz,主要重点针对分立IGBT、SiC、GaN等宽禁带半导体器件,提供高精度动态功率测试支持。 二、功率器件专项测试类产品 (1)TH530系列半导体器件雪崩能量测试仪,支持200A测试电流与2500V雪崩电压,主要用于功率MOSFET和IGBT等器件的测试,可实现雪崩前后泄漏检测、雪崩坍塌验证等关键测试项; (2)TH540系列半导体器件热阻测试仪,VDS达200V、IDS为50A,主要用于测量晶体管、二极管、MOSFET、IGBT等功率器件的热阻特性,同时可实现器件接触状态检查,保障器件散热性能评估准确性。 三、半导体晶圆测试类产品 (1)TH550系列半导体晶圆KGD测试系统,可实现静态与动态参数双维度测试,且能适配常温、高温等多环境场景,满足晶圆级KGD的测试需求; (2)TH560系列半导体晶圆老化测试系统,支持4寸、6寸、8寸晶圆,电压达2000V,主要用于评估半导体晶圆在长期工作环境下的稳定性,提前识别潜在失效风险,为下游芯片制造提供品质保障。
(来自 全景•路演天下)
答复时间 2025-11-04 15:28:33
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