光学巨头蔡司集团首席执行官 Frank Rohmund 近日在接受采访时明确表示，在不借助极紫外光刻机的情况下，中国半导体制造业将无法在全球市场上保持商业竞争力。

蔡司作为 ASML 光刻机关键光学系统的独家供应商，在半导体制造供应链中拥有不可替代的地位。

受美国出口管制政策影响，中国企业无法从 ASML 等厂商采购先进的 EUV 光刻设备。这一禁令迫使中国大陆最大的晶圆代工厂不得不转向使用深紫外光刻搭配多重曝光技术来生产先进制程芯片。

Rohmund 承认，在没有 EUV 的情况下，中国确实可以利用 DUV 设备通过多重曝光工艺达到 5nm 级别的芯片制造。但他同时指出，多重曝光方案存在制造工艺复杂、良率低、成本高等明显缺陷。他表示，除非政府提供大规模补贴来支撑这些项目，否则这种技术路径从商业角度看是不可持续的。

Rohmund 认为，中国的先进制程商业化能力将长期停留在 7nm 节点，即便是 5nm 的实现也远比想象中复杂。台积电、三星等厂商正以 2nm 甚至更先进的制程向前推进，而中国在缺乏 EUV 设备的情况下，技术差距只会逐渐拉大。

以华为麒麟 9030 为例，这款由中芯国际 7nm N+3 工艺制造的芯片在金属间距上甚至比英特尔 18A 更紧凑，可与台积电 EUV 工艺的 N6 节点一较高下。

然而，麒麟 9030 在实际性能和功耗上表现并不理想，苹果的低功耗核心甚至能在仅消耗 1W 的情况下超越其 Prime 核心。这一案例恰恰印证了 Rohmund 的判断，在没有 EUV 的情况下，即便能造出芯片，也难以在商业市场上保持竞争力。华为此前宣称到 2031 年可通过逻辑折叠封装技术实现 1.4nm 级芯片，但 Rohmund 认为这条路依然会被复杂的制造工艺、低良率和高成本所限制。

关于中国自研 EUV 光刻机的进展，此前有报道称中国可能在 2025 年第三季度启动国产 EUV 设备的试产，但此后并未传出任何后续消息。Rohmund 的观点也呼应了近期 Digitimes 的分析：先进封装确实能提升芯片整体效能，但无法完全取代 EUV 光刻带来的制程优势。缺乏 EUV 光刻，只能依赖更复杂的多重曝光技术，不仅成本更高、良率更低，商业化之路确实举步维艰。

核心前提：上海微电子（SMEE，未上市）国内唯一前道光刻机整机龙头，主力机型SSA800（28nm干式/浸没式）持续验证；EUV暂无国产可商用方案。
产业链按「整机→核心子系统→配套设备→耗材」分层。

一、整机平台

1. 上海微电子（未上市）：国产前道光刻机唯一整机厂商。

2. 张江高科（600895）：$张江高科(SH600895)$  A股稀缺参股标的，张江浩成持有上微约10.78%股权。

3. 上海电气（601727）：上微大股东，产业协同支撑装备制造。

二、五大核心子系统龙头（光刻机价值最高环节）

1. 光源系统（设备心脏，193nm准分子激光）

• 科益虹源（未上市）：国产唯一量产193nm ArF准分子光源，上微核心配套；

• 福晶科技（002222）：LBO/BBO非线性光学晶体全球龙头，光源变频核心材料；

• 炬光科技（688167）：光场匀化模块，光路光学元器件。

2. 投影光学物镜（壁垒最高）

• 茂莱光学（688502）：国内唯一实现DUV物镜透镜组量产，深度绑定上海微电子；

• 奥普光电（002338）：长春光机所平台，承担高端光学系统、光栅研发；

• 波长光电：$波长光电(SZ301421)$  光刻光路镜头、光学基座配套。

3. 双工件台/掩模台（纳米级同步运动）

• 华卓精科（688368）：国产双工件台龙头，全球仅两家掌握磁悬浮双工件台，上微核心供应商；

• 苏大维格（300331）：纳米定位光栅，工件台位置基准器件。

4. 真空腔体、精密结构件

• 富创精密（688409）：真空腔体、晶圆夹具，同时通过ASML与上微认证；

• 新莱应材（300260）：超高纯管路、阀门、浸液输送管路。

5. 温控、浸液与辅助系统

• 同飞股份（300990）：高精度温控系统；

• 蓝英装备（300293）：超净清洗、光刻腔净化系统。

三、光刻配套工艺设备（产线必需，与光刻机成套采购）

1. 芯源微（688037）：前道涂胶显影Track，国产龙头，适配上微光刻机；

2. 清溢光电、路维光电：光掩模版（掩膜版）；

3. 芯碁微装（688630）：激光直写光刻（面板、先进封装，非前道DUV）。

四、光刻耗材（持续复购）

1. 光刻胶
南大光电（ArF光刻胶28nm量产）、彤程新材（KrF龙头）、上海新阳；

2. 光刻电子特气
华特气体、凯美特气、中船特气（KrF/ArF混合气）；

3. 高纯靶材
江丰电子：腔体、光学系统配套金属靶材。