最近几天，有两个公开的、非常重要的信息。

          一是中芯近年来使用三维堆叠技术（有的称之为鳍式场效应晶体管技术，这个问题太专业，我本人也不懂），用14那米芯片可以生产出等效7那米（N+1技术）、等效5那米（N+2技术）、等效3那米技术。其中等效7那米已量产用于华维手机，等效5那米（据说良率65%左右）已量产用于华维手机，4月份使用该芯片的手机就将发布。等效3那米的生产线在上海临港，前几天已启动运行，有公开报道。

         二是华维和中芯已联手攻克EUV光刻机，且技术和阿斯唛的不一样，可能更先进，下半年将试产，明年量产。这个信息是公开的，那台光刻机照片都看见了。

         正常情况下，中芯得到EUV光刻机之后，有可能在三年左右赶上台基电技术，大约五、六年左右赶上台基电营收，总市值自然也就超过台基电。

          还有一种情况，有没有可能中芯在用EUV生产出7那米或5那米芯片后（2026年就应该能生产出来），应用三维堆叠或鳍式效应晶体管直接生产出等效3那米、等效2那米、甚至等效1那米芯片，这样就可以在2027年就赶上甚至超过台基电的技术，实现技术的突飞猛进、跨越式超越！这样就实现两年技术赶超，三到四年营收就可能赶超了！

       最后一种情况完全是狂想了！有没有实现的可能呢？